المؤلفون: Samitier i Martí, Josep

المساهمون: University/Department: Universitat de Barcelona. Facultat de Física

مرشدي الرسالة: Morante i Lleonart, Joan Ramon

المصدر: TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)

مصطلحات موضوعية: Electrònica, Electrónica, Electronics, Arsenur de gal·li, Semiconductores de arseniuro de galio, Gallium arsenide semiconductors, Semiconductors, Semiconductores, Ciències Experimentals i Matemàtiques

وصف الملف: application/pdf

URL الوصول: http://hdl.handle.net/10803/672605

المساهمون: Lou, Catherine [Univ. of California, Berkeley, CA (United States)]

المصدر: Other Information: UNCL. Orig. Receipt Date: 31-DEC-71

وصف الملف: Medium: ED; Size: 114 p.

URL الوصول: http://www.osti.gov/scitech/servlets/purl/4100410

المساهمون: Spitzer, M

المصدر: Other Information: Thesis (Ph.D.)

وصف الملف: Medium: X; Size: Pages: 221

URL الوصول: http://www.osti.gov/scitech/biblio/6644796

المساهمون: Yeh, C

المصدر: Other Information: Thesis (Ph. D.)

وصف الملف: Medium: X; Size: Pages: (203 p)

URL الوصول: http://www.osti.gov/scitech/biblio/7012975

المساهمون: Huang, R

المصدر: Other Information: Thesis (Ph. D.)

وصف الملف: Medium: X; Size: Pages: 234

URL الوصول: http://www.osti.gov/scitech/biblio/6819216

المساهمون: Khoie, A

المصدر: Other Information: Thesis (Ph. D.)

وصف الملف: Medium: X; Size: Pages: 340

URL الوصول: http://www.osti.gov/scitech/biblio/6819214

المساهمون: Tsaur, S

المصدر: Other Information: Thesis (Ph. D.)

وصف الملف: Medium: X; Size: Pages: 164

URL الوصول: http://www.osti.gov/scitech/biblio/5037655

المؤلفون: Hjort, Klas

المساهمون: Uppsala universitet

Other Title: Gallium arsenide as a mechanical material.
Micromachining of gallium arsenide and related compounds.
Bulk and surface micromachining of GaAs.
Epitaxial regrowth in surface micromachining of GaAs.
GaAs low temperature fusion bonding.
Hardness and fracture toughness of AlxGa1-xAs.
Micromechanical fracture strength of semi-insulating GaAs.
Micro scribes in semi-insulating GaAs studied by cross-sectional TEM.
Flexural vibrations in piezoelectric semi-insulating GaAs.
Piezoelectric effect of GaAs used for resonant sensors and actuators.

Degree: doctoral -- Uppsala University -- 1993.

المؤلفون: Burbach, Joachim, 1957-

المساهمون: Gesamthochschule Kassel. Fachbereich Physik

Degree: doctoral -- Gesamthochschule Kassel, Universität des Landes Hessen -- 1990.

المؤلفون: Zimmerli, Ulrich

Degree: Thesis (doctoral)--Technische Hochschule, Zürich, 1968.