يعرض 1 - 5 نتائج من 5 نتيجة بحث عن '"Matioli, E."', وقت الاستعلام: 0.88s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    Polarization-Enhanced GaN Schottky Barrier Diodes: Ultra-Thin InGaN for High Breakdown Voltage and Low Ron

    المؤلفون: Floriduz, A., Hao, Z., Matioli, E.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 45(7):1121-1124 Jul, 2024

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    High-Performance Nanowire-Based E-Mode Power GaN MOSHEMTs With Large Work-Function Gate Metal

    المؤلفون: Nela, L., Zhu, M., Ma, J., Matioli, E.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 40(3):439-442 Mar, 2019

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Ultralow Leakage Current AlGaN/GaN Schottky Diodes With 3-D Anode Structure

    المؤلفون: Matioli, E., Lu, B., Palacios, T.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 60(10):3365-3370 Oct, 2013

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    1100 V AlGaN/GaN MOSHEMTs With Integrated Tri-Anode Freewheeling Diodes

    المؤلفون: Wang, T., Ma, J., Matioli, E.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 39(7):1038-1041 Jul, 2018

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    High-Voltage and Low-Leakage AlGaN/GaN Tri-Anode Schottky Diodes With Integrated Tri-Gate Transistors

    المؤلفون: Ma, J., Matioli, E.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 38(1):83-86 Jan, 2017

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء