يعرض 1 - 10 نتائج من 23 نتيجة بحث عن '"Nawaz M"', وقت الاستعلام: 1.48s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    Dynamic Avalanche Limit and Current Filamentation Onset Limit in 4H-Silicon Carbide High-Voltage Diodes

    المؤلفون: Johannesson, D., Nawaz, M., Nee, H.

    المصدر: IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics IEEE J. Emerg. Sel. Topics Power Electron. Emerging and Selected Topics in Power Electronics, IEEE Journal of. 10(5):5048-5058 Oct, 2022

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    Evaluation of Ultrahigh-Voltage 4H-SiC Gate Turn-OFF Thyristors and Insulated-Gate Bipolar Transistors for High-Power Applications

    المؤلفون: Johannesson, D., Nawaz, M., Norrga, S., Nee, H.

    المصدر: IEEE Transactions on Power Electronics IEEE Trans. Power Electron. Power Electronics, IEEE Transactions on. 37(4):4133-4147 Apr, 2022

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Static and Dynamic Performance Prediction of Ultrahigh-Voltage Silicon Carbide Insulated-Gate Bipolar Transistors

    المؤلفون: Johannesson, D., Nawaz, M., Norrga, S., Hallen, A., Nee, H.

    المصدر: IEEE Transactions on Power Electronics IEEE Trans. Power Electron. Power Electronics, IEEE Transactions on. 36(5):5874-5891 May, 2021

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Assessment of Junction Termination Extension Structures For Ultrahigh-Voltage Silicon Carbide Pin-Diodes; A Simulation Study

    المؤلفون: Johannesson, D., Nawaz, M., Nee, H.

    المصدر: IEEE Open Journal of Power Electronics IEEE Open J. Power Electron. Power Electronics, IEEE Open Journal of. 2:304-314 2021

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Comprehensive Characterization of the 4H-SiC Planar and Trench Gate MOSFETs From Cryogenic to High Temperature

    المؤلفون: Tian, K., Hallen, A., Qi, J., Nawaz, M., Ma, S., Wang, M., Guo, S., Elgammal, K., Li, A., Liu, W.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 66(10):4279-4286 Oct, 2019

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    Position-Dependent Bulk Traps and Carrier Compensation in 4H-SiC Bipolar Junction Transistors

    المؤلفون: Usman, M., Nawaz, M., Hallen, A.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 60(1):178-185 Jan, 2013

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    Assessment of 10 kV, 100 A Silicon Carbide mosfet Power Modules

    المؤلفون: Johannesson, D., Nawaz, M., Ilves, K.

    المصدر: IEEE Transactions on Power Electronics IEEE Trans. Power Electron. Power Electronics, IEEE Transactions on. 33(6):5215-5225 Jun, 2018

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية
    Static and Dynamic Characterization of High Power Silicon Carbide BJT Modules

    المؤلفون: Nawaz, M., Chen, N., Chimento, F., Wang, L.

    المصدر: IEEE Transactions on Industry Applications IEEE Trans. on Ind. Applicat. Industry Applications, IEEE Transactions on. 52(6):4990-4998 Jan, 2016

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية
    Low-Temperature Annealing of Radiation-Induced Degradation in 4H-SiC Bipolar Junction Transistors

    المؤلفون: Hallen, A., Nawaz, M., Zaring, C., Usman, M., Domeij, M., Ostling, M.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 31(7):707-709 Jul, 2010

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية
    Development of a Simple Analytical PSpice Model for SiC-Based BJT Power Modules

    المؤلفون: Johannesson, D., Nawaz, M.

    المصدر: IEEE Transactions on Power Electronics IEEE Trans. Power Electron. Power Electronics, IEEE Transactions on. 31(6):4517-4525 Jun, 2016

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء