-
1دورية أكاديمية
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 69(10):5556-5561 Oct, 2022
-
2مؤتمر
المؤلفون: Thunder, Sunanda, Pal, Parthasarathi, Wang, Yeong-Her, Huang, Po-Tsang
المصدر: 2021 International Conference on IC Design and Technology (ICICDT) IC Design and Technology (ICICDT), 2021 International Conference on. :1-4 Sep, 2021
Relation: 2021 International Conference on IC Design and Technology (ICICDT)
-
3دورية أكاديمية
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 68(9):4462-4466 Sep, 2021
-
4دورية أكاديمية
المؤلفون: Mingjie Zhao, Jiahao Yan, Yaotian Wang, Qizhen Chen, Rongjun Cao, Hua Xu, Dong-Sing Wuu, Wan-Yu Wu, Feng-Min Lai, Shui-Yang Lien, Wenzhang Zhu
المصدر: Nanomaterials, Vol 14, Iss 8, p 690 (2024)
مصطلحات موضوعية: α-IGZO, thin-film transistor (TFT), HiPIMS, two-step deposition pressure, room-temperature fabrication, Chemistry, QD1-999
وصف الملف: electronic resource
-
5دورية أكاديمية
المؤلفون: Huang, X.D., Song, J.Q., Lai, P.T.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 63(5):1899-1903 May, 2016
-
6دورية أكاديمية
المؤلفون: Chen, F.-H., Chen, C.-H., Pan, T.-M.
المصدر: IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation IEEE Trans. Dielect. Electr. Insul. Dielectrics and Electrical Insulation, IEEE Transactions on. 22(3):1337-1342 Jun, 2015
-
7دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
8دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
9مؤتمر
المصدر: 2013 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-state Circuits Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), 2013 IEEE International Conference of. :1-2 Jun, 2013
Relation: 2013 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC)
-
10دورية أكاديمية
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 62(5):1659-1662 May, 2015