-
1
المؤلفون: Bogdanov, E.S., Sukhova, O.R., Vorontsov, A.G.
مصطلحات موضوعية: двухступенчатый разряд, two-step discharge, УДК 537.5, заряд-разрядные кривые, charge/discharge curves, supercapacitor, УДК 544.6, ионистор
وصف الملف: application/pdf
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2425::677be8cf492d5651492b0b10a6052bec
http://dspace.susu.ru/xmlui/handle/00001.74/45826 -
2
المصدر: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 6, № 5(78) (2015): Applied physics; 32-40
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 6, № 5(78) (2015): Прикладная физика; 32-40
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 6, № 5(78) (2015): Прикладна фізика; 32-40مصطلحات موضوعية: УДК 537.5, multicharged ion implantation, gallium arsenide, CMOS technology, Schottky transistor, p+-n junction, graded band gap solar cell, багатозарядна іонна імплантація, арсенід галію, КМОН технологія, транзистор Шотткі, p+-n перехід, варізонний сонячний елемент, многозаядная ионная имплантация, арсенид галия, КМОП технология, транзистор Шоттки, p+-n переход, варизонный солнечный элемент
وصف الملف: application/pdf
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::0dd3e81dce9f912e5689280f6b4d3f7d
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/54233 -
3
المؤلفون: Lohov, S. P.
مصطلحات موضوعية: новые элементы, холодный синтез элементов, электрические разряды, УДК 537.5, вещества, УДК 001, электричество, Энергетический факультет
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2425::913fe22daead4d83f7f634e58516b8d3
http://dspace.susu.ac.ru/handle/0001.74/1706 -
4
-
5مورد إلكتروني
عناروين إضافية: Разработка технологии многозарядной ионной имплантации GaAs для субмикронных структур больших интегральных схем
Розробка технології багатозарядної іонної імплантації GaAs для субмікронних структур великих інтегральних схемالمصدر: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 6, № 5(78) (2015): Прикладна фізика; 32-40; Том 6, № 5(78) (2015): Прикладная физика; Том 6, № 5(78) (2015): Applied physics; 1729-4061; 1729-3774
مصطلحات الفهرس: multicharged ion implantation, gallium arsenide, CMOS technology, Schottky transistor, p+-n junction, graded band gap solar cell, многозаядная ионная имплантация, арсенид галия, КМОП технология, транзистор Шоттки, p+-n переход, варизонный солнечный элемент, багатозарядна іонна імплантація, арсенід галію, КМОН технологія, транзистор Шотткі, p+-n перехід, варізонний сонячний елемент, УДК 537.5, info:eu-repo/semantics/article, info:eu-repo/semantics/publishedVersion
URL:
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/54233 http://journals.uran.ua/eejet/article/view/54233/53438 http://journals.uran.ua/eejet/article/view/54233/53438 -
6مورد إلكتروني
عناروين إضافية: Денітрифікація водних розчинів методом ємнісної деіонізації
Denitrification of water solutions using capacitive deionizationالمصدر: Збірник наукових праць Харківського національного університету Повітряних Сил. — 2013. — № 2(35). 166-168; Сборник научных трудов Харьковского национального университета Воздушных Сил. — 2013. — № 2(35). 166-168; Scientific Works of Kharkiv National Air Force University. — 2013. — № 2(35). 166-168; 2073-7378
مصطلحات الفهرس: Фізичні та хімічні експерименти, УДК 537.5, денитрификация, двойной электрический слой, карбоновые материалы, ёмкостная деионизация, денітрифікація, подвійний електричний шар, карбонові матеріали, ємнісна деионизация, denitrification, an electric double layer carbon fiber material, the capacitive deionization, info:eu-repo/semantics/article, info:eu-repo/semantics/publishedVersion, Рецензована стаття
URL:
http://www.hups.mil.gov.ua/periodic-app/article/3297 http://www.hups.mil.gov.ua/periodic-app/article/3297/zhups_2013_2_45.pdf http://www.hups.mil.gov.ua/periodic-app/article/3297/zhups_2013_2_45.pdf -
7مورد إلكتروني
عناروين إضافية: Деградація сорбційних властивостей електродів системи ємнісної деіонізації води
Degradation of the adsorption capacity of the cdi electrodesالمصدر: Збірник наукових праць Харківського національного університету Повітряних Сил. — 2013. — № 1(34). 153-156; Сборник научных трудов Харьковского национального университета Воздушных Сил. — 2013. — № 1(34). 153-156; Scientific Works of Kharkiv National Air Force University. — 2013. — № 1(34). 153-156; 2073-7378
مصطلحات الفهرس: Фізичні та хімічні експерименти, УДК 537.5, двойной электрический слой, карбоновые материалы, ёмкостная деионизация, подвійний електричний шар, карбонові матеріали, ємнісна деіонізація, electrical double layer, carbon materials, capacitive deionization, info:eu-repo/semantics/article, info:eu-repo/semantics/publishedVersion, Рецензована стаття
URL:
http://www.hups.mil.gov.ua/periodic-app/article/3234 http://www.hups.mil.gov.ua/periodic-app/article/3234/zhups_2013_1_40.pdf http://www.hups.mil.gov.ua/periodic-app/article/3234/zhups_2013_1_40.pdf -
8مورد إلكتروني
عناروين إضافية: Физико-технологические особенности формирования металлизации субмикронных арсенидгалиевих структур ионным фрезерованием
Фізико-технологічні особливості формування металізації субмікронних арсенідгалієвих структур іонним фрезеруваннямالمصدر: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 4, № 5(64) (2013): Прикладна фізика; 3-6; Том 4, № 5(64) (2013): Прикладная физика; Том 4, № 5(64) (2013): Applied physics; 1729-4061; 1729-3774
مصطلحات الفهرس: Gallium Arsenide, ohmic contact, ion implantation, ion milling, ion-beam etching, multiple-charged implantation, арсенид галлия, омический контакт, ионная имплантация, ионное фрезерование, ионно-лучевое травление, арсенід галію, омічний контакт, іонна імплантація, іонне фрезерування, іонно-променеве травлення, УДК 537.5, info:eu-repo/semantics/article, info:eu-repo/semantics/publishedVersion
URL:
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/16660 http://journals.uran.ua/eejet/article/view/16660/14152 http://journals.uran.ua/eejet/article/view/16660/14152
