يعرض 1 - 10 نتائج من 45 نتيجة بحث عن '"5-nm node"', وقت الاستعلام: 1.02s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    A Three-Dimensional Simulation Study of the Novel Comb-Like-Channel Field-Effect Transistors for the 5-nm Technology Node and Beyond

    المؤلفون: Li, X., Zhu, H., Gan, W., Huang, W., Wu, Z.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 69(9):4786-4790 Sep, 2022

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    TCAD-Based Flexible Fin Pitch Design for 3-nm Node 6T-SRAM Using Practical Source/Drain Patterning Scheme

    المؤلفون: Lee, J., Yoon, J., Lee, S., Jeong, J., Baek, R.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 68(3):1031-1036 Mar, 2021

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Analysis of TSV-Induced Mechanical Stress and Electrical Noise Coupling in Sub 5-nm Node Nanosheet FETs for Heterogeneous 3D-ICs

    المؤلفون: Jeong, J., Yoon, J., Baek, R.

    المصدر: IEEE Access Access, IEEE. 9:16728-16735 2021

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Opportunities in Device Scaling for 3-nm Node and Beyond: FinFET Versus GAA-FET Versus UFET

    المؤلفون: Das, U.K., Bhattacharyya, T.K.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 67(6):2633-2638 Jun, 2020

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Comprehensive Analysis of Source and Drain Recess Depth Variations on Silicon Nanosheet FETs for Sub 5-nm Node SoC Application

    المؤلفون: Jeong, J., Yoon, J., Lee, S., Baek, R.

    المصدر: IEEE Access Access, IEEE. 8:35873-35881 2020

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    Device Design Guideline of 5-nm-Node FinFETs and Nanosheet FETs for Analog/RF Applications

    المؤلفون: Yoon, J., Baek, R.

    المصدر: IEEE Access Access, IEEE. 8:189395-189403 2020

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    Device Investigation of Nanoplate Transistor With Spacer Materials

    المؤلفون: Ko, H., Kang, M., Jeon, J., Shin, H.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 66(1):766-770 Jan, 2019

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية
    Punch-Through-Stopper Free Nanosheet FETs With Crescent Inner-Spacer and Isolated Source/Drain

    المؤلفون: Yoon, J., Jeong, J., Lee, S., Baek, R.

    المصدر: IEEE Access Access, IEEE. 7:38593-38596 2019

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية
    Bottom Oxide Bulk FinFETs Without Punch-Through-Stopper for Extending Toward 5-nm Node

    المؤلفون: Yoon, J., Jeong, J., Lee, S., Baek, R.

    المصدر: IEEE Access Access, IEEE. 7:75762-75767 2019

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية
    Source/Drain Patterning FinFETs as Solution for Physical Area Scaling Toward 5-nm Node

    المؤلفون: Yoon, J., Lee, S., Lee, J., Jeong, J., Yun, H., Kang, B., Baek, R.

    المصدر: IEEE Access Access, IEEE. 7:172290-172295 2019

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء