-
1دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
2دورية أكاديمية
المؤلفون: Iakoubovskii Konstantin
المصدر: Open Physics, Vol 7, Iss 4, Pp 654-662 (2009)
مصطلحات موضوعية: superconductivity, diamond, silicon, silicon carbide, type-i, 74.10.+v, 74.25.-q, 81.05.uw, 71.55.cn, Physics, QC1-999
وصف الملف: electronic resource
Relation: https://doaj.org/toc/2391-5471
-
3دورية أكاديميةDependence of the energy of the resonance states of an acceptor in silicon on the host isotopic mass
المصدر: JETP Letters: JETP Letters. November 2009 90(6):455-458
-
4دورية أكاديمية
المؤلفون: Tsyplenkov, V. V., Kovalevsky, K. A., Shastin, V. N.
المصدر: Semiconductors. November 2009 43(11):1410-1415
-
5دورية أكاديمية
المؤلفون: Tull, Brian R., Winkler, Mark T., Mazur, Eric
المصدر: Applied Physics A: Materials Science & Processing. August 2009 96(2):327-334
-
6دورية أكاديمية
المؤلفون: Seibt, Michael, Khalil, Reda, Kveder, Vitaly, Schröter, Wolfgang
المصدر: Applied Physics A: Materials Science & Processing. July 2009 96(1):235-253
-
7دورية أكاديمية
المؤلفون: Möller, H. J., Kaden, T., Scholz, S., Würzner, S.
المصدر: Applied Physics A: Materials Science & Processing. July 2009 96(1):207-220
-
8دورية أكاديمية
المؤلفون: Ionychev, V. K., Rebrov, A. N.
المصدر: Semiconductors. July 2009 43(7):948-952
-
9دورية أكاديمية
المؤلفون: Pizzini, S.
المصدر: Applied Physics A: Materials Science & Processing. July 2009 96(1):171-188
-
10دورية أكاديميةRedistribution of deep selenium and sulfur impurities in silicon upon surface doping with phosphorus
المؤلفون: Astrov, Yu. A., Kozlov, V. A., Lodygin, A. N., Portsel, L. M., Shuman, V. B., Gurevich, E. L., Hergenröder, R.
المصدر: Semiconductors. June 2009 43(6):710-715