يعرض 1 - 10 نتائج من 702 نتيجة بحث عن '"Amorphous oxide semiconductor"', وقت الاستعلام: 1.47s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    Improved Environmental Stability of InSnO Thin-Film Transistor by Interface Engineering

    المؤلفون: Zhang, X., Xu, L., Liang, R., Zong, S., Li, J., Zhu, Z., Luo, S., Song, Z., Liu, X.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 71(5):3015-3019 May, 2024

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    BEOL Compatible Ultra-Thin ITO Transistor With Performance Recoverable Capability by in Situ Electrothermal Annealing

    المؤلفون: Qian, B., Li, X., Liu, Y., Wang, S., Meng, J., Wang, T., Sun, Q., Zhang, D.W., Chen, L.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 45(5):841-844 May, 2024

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Improvement of PrIZO Thin Films by O2 Plasma Treatment Combined With Low-Temperature Annealing for Thin-Film Transistors

    المؤلفون: Zou, W., Liang, Z., Fu, X., Ning, H., Zeng, X., Fu, Y., Wang, H., Luo, C., Yao, R., Peng, J.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 70(11):5672-5677 Nov, 2023

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Effect of Back-Gate Dielectric on Indium Tin Oxide (ITO) Transistor Performance and Stability

    المؤلفون: Daus, A., Hoang, L., Gilardi, C., Wahid, S., Kwon, J., Qin, S., Ko, J., Islam, M., Kumar, A., Neilson, K.M., Saraswat, K.C., Mitra, S., Wong, H.P., Pop, E.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 70(11):5685-5689 Nov, 2023

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Interpretation of Device Characteristics of Wide-Width InGaZnO Transistors for Gate Driver Circuits

    المؤلفون: Kim, K., Kim, S.H., Kim, M., Lim, J.H., Park, J.S., Oh, S.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 44(10):1652-1655 Oct, 2023

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    Extraction Technique for the Conduction Band Minimum Energy in Amorphous Indium–Gallium–Zinc–Oxide Thin Film Transistors

    المؤلفون: Kim, H., Yoo, H.B., Lee, H., Ryu, J.H., Park, J.Y., Han, S.H., Yang, H., Bae, J., Choi, S., Kim, D.H., Kim, D.M.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 70(6):3126-3130 Jun, 2023

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    Simultaneous Extraction of Mobility Enhancement Factor and Threshold Voltage With Parasitic Resistances in Amorphous Oxide Semiconductor Thin-Film Transistors

    المؤلفون: Park, J.Y., Kim, H., Yoo, H.B., Ryu, J.H., Han, S.H., Bae, J., Choi, S., Kim, D.H., Kim, D.M.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 70(5):2312-2316 May, 2023

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية
    Investigation to the Carrier Transport Properties in Heterojunction-Channel Amorphous Oxides Thin-Film Transistors Using Dual-Gate Bias

    المؤلفون: Yang, H., Zhou, X., Lu, L., Zhang, S.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 44(1):68-71 Jan, 2023

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية
    An Analytical Drain Current Model of ZnO-Based Amorphous Oxide Semiconductor Thin-Film Transistors

    المؤلفون: Yu, F., Song, Z., Fang, K., Liang, Y., Huang, G., Xu, C., Liu, J.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 69(11):6139-6145 Nov, 2022

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية
    A Gate-All-Around inO Nanoribbon FET With Near 20 mA/m Drain Current

    المؤلفون: Zhang, Z., Lin, Z., Liao, P., Askarpour, V., Dou, H., Shang, Z., Charnas, A., Si, M., Alajlouni, S., Shakouri, A., Wang, H., Lundstrom, M., Maassen, J., Ye, P.D.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 43(11):1905-1908 Nov, 2022

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء