-
1
المؤلفون: Kimmo Saarinen, Laszlo Liszkay, William J. Schaff, Peter Sperr, J. Oila, A. Laakso, Werner Egger, Hai Lu, A. Kemppinen
المصدر: Laakso, A, Oila, J, Kemppinen, A, Saarinen, K, Egger, W, Liszkay, L, Sperr, P, Lu, H & Schaff, W J 2004, ' Vacancy defects in epitaxial InN : Identification and electrical properties ', Journal of Crystal Growth, vol. 269, no. 1, pp. 41-49 . https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.05.032
مصطلحات موضوعية: Free electron model, Electron mobility, Condensed matter physics, Chemistry, A3. Molecular beam epitaxy, Crystal growth, Electron, Condensed Matter Physics, Epitaxy, Inorganic Chemistry, A1. Point defects, Vacancy defect, A1. Positron annihilation spectroscopy, Materials Chemistry, B1 InN, Thin film, Molecular beam epitaxy
-
2دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
3دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
4دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
5دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
6دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
7دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
8دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
9دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
10دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.