يعرض 1 - 10 نتائج من 80 نتيجة بحث عن '"Ballingall J"', وقت الاستعلام: 1.08s تنقيح النتائج
  1. 1
    مؤتمر
    Millimeter wave double heterojunction pseudomorphic power HEMTs

    المؤلفون: Smith, P., Lester, L., Chao, P., Lee, B., Smith, R., Ballingall, J., Duh, K.

    المصدر: 1987 International Electron Devices Meeting IEDM Tech. Dig. Electron Devices Meeting, 1987 International. :854-856 1987

    Relation: International Electron Devices Meeting 1987

    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    Ultra-low noise characteristics of millimeter-wave high electron mobility transistors

    المؤلفون: Duh, K.-H.G., Liu, S.-M.J., Lester, L.F., Chao, P.C., Smith, P.M., Das, M.B., Lee, B.R., Ballingall, J.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 9(10):521-523 Oct, 1988

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Photoluminescence evaluation of pseudomorphic high electron mobility transistor device waters

    المؤلفون: Martin, P. A., Ballingall, J. M., Ho, P., Rogers, T. J.

    المصدر: Journal of Electronic Materials. December 1994 23(12):1303-1307

    Find this article in full text from Springer Verlag. Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    High-speed photodetector applications of GaAs and InxGa1−xAs/GaAs grown by low-temperature molecular beam epitaxy

    المؤلفون: Gupta, S., Whitaker, J. F., Williamson, S. L., Mourou, G. A., Lester, L., Hwang, K. C., Ho, P., Mazurowski, J., Ballingall, J. M.

    المصدر: Journal of Electronic Materials. December 1993 22(12):1449-1455

    Find this article in full text from Springer Verlag. Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Subpicosecond carrier response of unannealed low-temperature-grown GaAs vs temperature

    المؤلفون: Wang, H. H., Whitaker, J. F., Chin, A., Mazurowski, J., Ballingall, J. M.

    المصدر: Journal of Electronic Materials. December 1993 22(12):1461-1464

    Find this article in full text from Springer Verlag. Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    InxGa1−xAs (x=0.25–0.35) grown at low temperature

    المؤلفون: Ballingall, J. M., Ho, P., Mazurowski, J., Lester, L., Hwang, K. C., Sutliff, J., Gupta, S., Whitaker, J.

    المصدر: Journal of Electronic Materials. December 1993 22(12):1471-1475

    Find this article in full text from Springer Verlag. Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    Materials characteristics of pseudomorphic high electron mobility transistor structures with InxGa1−xas single quantum well and GaAs-InxGa1−xas (0.25 < x < 0.4) thin strained superlattice active layers

    المؤلفون: Ballingall, J. M., Ho, Pin, Martin, P. A., Tessmer, G. J., Yu, T. H., Lewis, N., Hall, E. L.

    المصدر: Journal of Electronic Materials. June 1990 19(6):509-513

    Find this article in full text from Springer Verlag. Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية
    IVA-7 surface layer impurity accumulation due to evaporation of GaAs during annealing

    المؤلفون: Woodall, J., Wicks, G., Rupprecht, H., Ballingall, J.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 28(10):1235-1235 Oct, 1981

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View record in Scopus
    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية
    Temperature dependence of photoluminescence in modulation-doped pseudomorphic high electron mobility transistor AlxGa1-xAs/ InyGa1-yAs/GaAs structures.

    المؤلفون: Yu, P. W., Jogai, B., Rogers, T. J., Martin, P. A., Ballingall, J. M.

    المصدر: Journal of Applied Physics; 12/1/1994, Vol. 76 Issue 11, p7535, 6p, 2 Charts, 9 Graphs

    مصطلحات موضوعية: PHOTOLUMINESCENCE, ELECTRON mobility

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء