المؤلفون: Zhang, F., Zheng, X., He, Y., Hong, W., Yue, S., Yuan, Z., Li, Y., Hong, Y., Cao, Y., Lv, L., Wang, Y., Lu, X., Ma, X., Hao, Y.

المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 71(6):3560-3564 Jun, 2024

المؤلفون: Huang, Y., Xu, X., Yang, J., Yu, X., Wei, Y., Ying, T., Liu, Z., Jing, Y., Li, W., Li, X.

المصدر: IEEE Transactions on Nuclear Science IEEE Trans. Nucl. Sci. Nuclear Science, IEEE Transactions on. 71(5):1178-1185 May, 2024

المؤلفون: Chen, X., Li, F., Hess, H.

المصدر: IEEE Access Access, IEEE. 12:42791-42801 2024

المؤلفون: Zhang, F., Zheng, X., He, Y., Wang, X., Hong, Y., Zhang, X., Yuan, Z., Wang, Y., Lu, X., Yin, J., Gao, Y., Ma, X., Hao, Y.

المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 70(11):5603-5608 Nov, 2023

المؤلفون: Wei, Y., Peng, X., Jiang, Z., Sun, T., Wei, J., Yang, K., Hao, L., Luo, X.

المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 70(7):3454-3461 Jul, 2023

المؤلفون: Xiaoqing Chen, Feng Li, Herbert Hess

المصدر: IEEE Access, Vol 12, Pp 42791-42801 (2024)

مصطلحات موضوعية: Beta-phase gallium oxide (β-Ga₂O₃), enhancement-mode, trench gate, vertical power MOSFET, current aperture, specific on-resistance, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971

وصف الملف: electronic resource

Relation: https://ieeexplore.ieee.org/document/10473008/; https://doaj.org/toc/2169-3536

URL الوصول: https://doaj.org/article/1e5f22bccde446f380a7b58e00fb85fe

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.