المؤلفون: El Hajjam, Khalil G., Bounouar, Mohamed Amine, Drouin, Dominique, Calmon, Francis

المصدر: 2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS) Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on. :218-221 Jan, 2016

Relation: 2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS)

المؤلفون: Bounouar, Mohamed Amine, Drouin, Dominique, Calmon, Francis

المصدر: 2014 IEEE 12th International New Circuits and Systems Conference (NEWCAS) New Circuits and Systems Conference (NEWCAS), 2014 IEEE 12th International. :325-328 Jun, 2014

Relation: 2014 IEEE 12th International New Circuits and Systems Conference (NEWCAS)

المؤلفون: Bounouar, Mohamed Amine, Beaumont, Arnaud, Hajjam, Khalil El, Calmon, Francis, Drouin, Dominique

المصدر: 2012 IEEE/ACM International Symposium on Nanoscale Architectures (NANOARCH) Nanoscale Architectures (NANOARCH), 2012 IEEE/ACM International Symposium on. :146-151 Jul, 2012

Relation: 2012 IEEE/ACM International Symposium on Nanoscale Architectures (NANOARCH)

المؤلفون: Bounouar, Mohamed Amine, Beaumont, Arnaud, Calmon, Francis, Drouin, Dominique

المصدر: 2012 13th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS) Ultimate Integration on Silicon (ULIS), 2012 13th International Conference on. :157-160 Mar, 2012

Relation: 2012 13th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS)

المؤلفون: Bounouar, Mohamed Amine

المساهمون: Institut des Nanotechnologies de Lyon ( INL ), École Centrale de Lyon ( ECL ), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 ( UCBL ), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon ( CPE ) -Institut National des Sciences Appliquées de Lyon ( INSA Lyon ), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Institut National des Sciences Appliquées ( INSA ) -Centre National de la Recherche Scientifique ( CNRS ), INSA de Lyon, Dominique Drouin, Francis Calmon, Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Sherbrooke (Québec, Canada), STAR, ABES

المصدر: Autre. INSA de Lyon, 2013. Français. 〈NNT : 2013ISAL0068〉
Autre. INSA de Lyon; Université de Sherbrooke (Québec, Canada), 2013. Français. ⟨NNT : 2013ISAL0068⟩

مصطلحات موضوعية: [SPI.OTHER]Engineering Sciences [physics]/Other, Conception de cricuits numériques, Modélisation compacte du SET, [ SPI.OTHER ] Engineering Sciences [physics]/Other, [SPI.OTHER] Engineering Sciences [physics]/Other, Ultra-basse consommation, Ultra-low power consumption, Nano-architectures, SET Modeling, Logic circuit Design, Microélectronique, Transistor mono-électroniques - SET, Microelectronics, Conception de circuits logiques, Electronics, Electronique, Transistor mono-électroniques double-grille - DG-SET, Single-electron Transistor - SET, Double-Gate Single Electron Transistor - DG-SET, Nano-architecture

وصف الملف: application/pdf

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::dd8d5d5767eecfcf3e0f84b8636e230d
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