يعرض 1 - 3 نتائج من 3 نتيجة بحث عن '"Brady, F. T."', وقت الاستعلام: 0.99s تنقيح النتائج
  1. 1
    مؤتمر
    Low power consumption and high resolution 1280X960 Gate Assisted Photonic Demodulator pixel for indirect Time of flight

    المؤلفون: Ebiko, Y., Yamagishi, H., Tatani, K., Iwamoto, H., Moriyama, Y., Hagiwara, Y., Maeda, S., Murase, T., Suwa, T., Arai, H., Isogai, Y., Hida, S., Kameda, S., Terada, T., Koiso, K., Brady, F. T., Han, S., Basavalingappa, A., Michiel, T., Ueno, T.

    المصدر: 2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) Electron Devices Meeting (IEDM), 2020 IEEE International. :33.1.1-33.1.4 Dec, 2020

    Relation: 2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    C-V and C-t analysis of buried oxide layers formed by high-dose oxygen implantation

    المؤلفون: Brady, F. T., Li, S. S., Krull, W. A.

    المصدر: Journal of Electronic Materials. May 1989 18(3):385-389

    Find this article in full text from Springer Verlag. Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Determination of the fixed oxide charge and interface trap densities for buried oxide layers formed by oxygen implantation.

    المؤلفون: Brady, F. T., Li, S. S., Burk, D. E., Krull, W. A.

    المصدر: Applied Physics Letters; 3/14/1988, Vol. 52 Issue 11, p886, 3p

    مصطلحات موضوعية: OXIDES, METAL oxide semiconductors

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء