يعرض 1 - 1 نتائج من 1 نتيجة بحث عن '"C-based XC (X = Si, Ge, Sn) materials"', وقت الاستعلام: 0.82s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    Computational phonon dispersions structural and thermodynamical characteristics of novel C-based XC (X = Si, Ge and Sn) materials

    المؤلفون: Devki N. Talwar

    المصدر: Next Materials, Vol 4, Iss , Pp 100198- (2024)

    مصطلحات موضوعية: C-based XC (X = Si, Ge, Sn) materials, Phonon dispersions, Debye temperature, ΘD(T), Specific heat, Cv(T), Born’s transverse effective charge, eT*, Technology

    وصف الملف: electronic resource

    Relation: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2949822824000959; https://doaj.org/toc/2949-8228

    URL الوصول: https://doaj.org/article/dede043d91d24279a1757f2cdfc5cc37

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء