نتائج البحث - "C. Euvrard"

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Si capacitive modulator integration in a 300mm silicon photonics platform using different annealing conditions

المصدر: Silicon Photonics XVI.

مصطلحات موضوعية: Materials science, Silicon photonics, Fabrication, Annealing (metallurgy), business.industry, Capacitive sensing, Physics::Optics, engineering.material, Electro-optics, Capacitance, Polycrystalline silicon, Modulation, engineering, Optoelectronics, business

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8a52c4c3123f546127ab42e6dc8b72b1
https://doi.org/10.1117/12.2577806

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Fine pitch 3D interconnections with hybrid bonding technology: From process robustness to reliability

المؤلفون: Simon Gousseau, Frank Fournel, Joris Jourdon, N. Bresson, V. Balan, M. Arnoux, Lucile Arnaud, C. Euvrard, Alexis Farcy, Sandrine Lhostis, S. Guillaumet, Y. Exbrayat, Stephane Moreau, Didier Lattard, Imed Jani, E. Deloffre, A. Jouve

المصدر: IRPS

مصطلحات موضوعية: Interconnection, Materials science, Fabrication, Extrapolation, Fine pitch, 02 engineering and technology, 021001 nanoscience & nanotechnology, Electromigration, 020303 mechanical engineering & transports, 0203 mechanical engineering, Robustness (computer science), ComputerApplications_MISCELLANEOUS, Scalability, Hardware_INTEGRATEDCIRCUITS, Electronic engineering, 0210 nano-technology

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b1233924cac7498777fc45672c9a42b3
https://doi.org/10.1109/irps.2018.8353591

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Hybrid bonding for 3D stacked image sensors: impact of pitch shrinkage on interconnect robustness

المؤلفون: C. Euvrard, P. Lamontagne, C. Sart, S. Mermoz, E. Deloffre, Hélène Fremont, A. Jouve, Lucile Arnaud, H. Bilgen, Alexis Farcy, Yann Henrion, N. Bresson, M. Arnoux, Sandrine Lhostis, F. Andre, Joris Jourdon, V. Balan, S. Guillaumet, Stephane Moreau, Y. Exbrayat, J. Chossat, A-L. Martin, C. Charles, Daniel Scevola, S. Cheramy, D. Bouchu

المساهمون: Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information (CEA-LETI), Université Grenoble Alpes (UGA)-Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), Department of Industrial and Systems Engineering [Lehigh] (ISE), Lehigh University [Bethlehem], SOITEC, Institut Charles Gerhardt Montpellier - Institut de Chimie Moléculaire et des Matériaux de Montpellier (ICGM ICMMM), Université Montpellier 1 (UM1)-Université Montpellier 2 - Sciences et Techniques (UM2)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Montpellier (ENSCM)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Extraction et Exploitation de l'Information en Environnements Incertains (E3I2), École Nationale Supérieure de Techniques Avancées Bretagne (ENSTA Bretagne), Centre de Thermique de Lyon (CETHIL), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Montpellier (ENSCM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Université Montpellier 1 (UM1)-Université Montpellier 2 - Sciences et Techniques (UM2)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Milieux aquatiques, écologie et pollutions (UR MALY), Institut national de recherche en sciences et technologies pour l'environnement et l'agriculture (IRSTEA), Centre d'Energétique et de Thermique de Lyon (CETHIL), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 (UB)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon, Institut Charles Gerhardt Montpellier - Institut de Chimie Moléculaire et des Matériaux de Montpellier (ICGM), Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Montpellier (ENSCM)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

المصدر: Proceedings of IEDM 2018
Proceedings of IEDM 2018, 2018, San Francisco, United States
2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2018, San Francisco, France. pp.7.3.1-7.3.4, ⟨10.1109/IEDM.2018.8614570⟩

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a5c2f74963bc50461c8719aaaab34a68
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02517231

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1μm Pitch direct hybrid bonding with <300nm wafer-to-wafer overlay accuracy

المؤلفون: N. Bresson, Severine Cheramy, A. Jouve, V. Balan, Lucile Arnaud, S. Guillaumet, Sandrine Lhostis, C. Euvrard-Colnat, C. Beitia, S. Mermoz, Y. Exbrayat, Frank Fournel, G. Mauguen, Alexis Farcy, M. Abdel Sater

المساهمون: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES)

المصدر: 2017 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S)
2017 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), Oct 2017, Burlingame, Canada. pp.1-2, ⟨10.1109/S3S.2017.8309213⟩

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::eaeb9a91dca83f5bcf13f12baed9b826
https://doi.org/10.1109/s3s.2017.8309213

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Hydrogen silsesquioxane tri-dimensional advanced patterning concepts for high density of integration in sub-7 nm nodes

المساهمون: STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC ), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Vistec Electron Beam GmbH

المصدر: 2017 EUROSOI-ULIS Proceedings
2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS)
2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), Apr 2017, Athens, Greece. pp.120-123, ⟨10.1109/ULIS.2017.7962617⟩

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ca7595340398bf8248e822cfce7e8ba8
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02014232

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Vertically Stacked-NanoWires MOSFETs in a Replacement Metal Gate Process with Inner Spacer and SiGe Source/Drain

المساهمون: Laboratoire de Génie Civil et d'Ingénierie Environnementale (LGCIE), Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), Funding : the NANO 2017 program, European Project: 688101,H2020,H2020-ICT-2015,SUPERAID7(2016)

المصدر: 2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2016, San Francisco, United States. ⟨10.1109/IEDM.2016.7838441⟩

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::29412b777acc4388dc0419b37ccb3235
https://hal-cea.archives-ouvertes.fr/cea-01973383/document

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First demonstration of a CMOS over CMOS 3D VLSI CoolCube™ integration on 300mm wafers

المصدر: 2016 IEEE Symposium on VLSI Technology.

مصطلحات موضوعية: 010302 applied physics, Very-large-scale integration, Engineering, business.industry, Electrical engineering, Silicon on insulator, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, 020202 computer hardware & architecture, PMOS logic, Front and back ends, CMOS, 0103 physical sciences, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, Wafer, business, Metal gate, NMOS logic

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a9ed124b81563782c46dfeb93f1c6bd0
https://doi.org/10.1109/vlsit.2016.7573428

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Gate-last integration on planar FDSOI MOSFET: Impact of mechanical boosters and channel orientations

المؤلفون: L. Brevard, C. Le Royer, C. Euvrard, F. Ponthenier, A. Seignard, O. Faynot, R. Gassilloud, David K. C. Cooper, Y. Morand, J.M. Hartmann, L. Tosti, S. Morvan, Claude Tabone, Thierry Poiroux, Maurice Rivoire, Pascal Besson, C. Leroux, F. Allain, B. Saidi, P. Perreau, X. Garros, M. Casse, Francois Andrieu, P. Caubet

المصدر: 2013 IEEE International Electron Devices Meeting.

مصطلحات موضوعية: Electron mobility, Materials science, Silicon, business.industry, Transistor, Silicon on insulator, chemistry.chemical_element, Equivalent oxide thickness, PMOS logic, law.invention, chemistry, law, Gate oxide, MOSFET, Electronic engineering, Optoelectronics, business

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e8a0872e8e5d7f07e6b2274643921aef
https://doi.org/10.1109/iedm.2013.6724668

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Gate-last integration on planar FDSOI for low-VTp and low-EOT MOSFETs

المساهمون: Laboratoire de géologie de l'ENS (LGENS), Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Département des Géosciences - ENS Paris, École normale supérieure - Paris (ENS Paris), Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-École normale supérieure - Paris (ENS Paris), Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Département d'Astrophysique, de physique des Particules, de physique Nucléaire et de l'Instrumentation Associée (DAPNIA), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Géosciences Environnement Toulouse (GET), Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Observatoire Midi-Pyrénées (OMP), Météo France-Centre National d'Études Spatiales [Toulouse] (CNES)-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Météo France-Centre National d'Études Spatiales [Toulouse] (CNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD), STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), UMR CNRS 8179, Université de Lille, Sciences et Technologies-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), École normale supérieure - Paris (ENS-PSL), Université Paris sciences et lettres (PSL)-Université Paris sciences et lettres (PSL)-École normale supérieure - Paris (ENS-PSL), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Observatoire Midi-Pyrénées (OMP), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Centre National d'Études Spatiales [Toulouse] (CNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Météo-France -Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS)-Centre National d'Études Spatiales [Toulouse] (CNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Météo-France -Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

المصدر: Microelectronic Engineering
Microelectronic Engineering, Elsevier, 2013, 109, pp.306-309. ⟨10.1016/j.mee.2013.03.045⟩
Microelectronic Engineering, 2013, 109, pp.306-309. ⟨10.1016/j.mee.2013.03.045⟩

مصطلحات موضوعية: 010302 applied physics, Electron mobility, Materials science, business.industry, Silicon on insulator, Time-dependent gate oxide breakdown, Equivalent oxide thickness, 02 engineering and technology, 021001 nanoscience & nanotechnology, Condensed Matter Physics, 01 natural sciences, Atomic and Molecular Physics, and Optics, Surfaces, Coatings and Films, Electronic, Optical and Magnetic Materials, Threshold voltage, Gate oxide, 0103 physical sciences, MOSFET, Optoelectronics, Electrical and Electronic Engineering, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, 0210 nano-technology, business, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, Leakage (electronics)

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::55f688bcbb398063cfd6caffbf58fdf0
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00996453

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Use of optical metrology for wafer level packaging of CMOS image sensor

المؤلفون: D. Le Cunff, C. Euvrard, A. Pravdivtsev, K. Le Chao, E. Deloffre, S. Couvrat, A. Cailean

المصدر: 3DIC

مصطلحات موضوعية: Materials science, Silicon, Spectrometer, business.industry, chemistry.chemical_element, Interferometry, Optics, Resist, chemistry, Astronomical interferometer, Optoelectronics, Wafer, Image sensor, business, Wafer-level packaging

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::34c013987d9e958c374811290a5612f4
https://doi.org/10.1109/3dic.2010.5751473

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