-
1مؤتمر
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
2
المؤلفون: M. Denais, G. Ribes, C. Parthasarthy, Gerard Ghibaudo, Vincent Huard, T. Skotnicki, M. Muller, Sylvie Bruyere, David Roy
المصدر: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability. 6:132-135
مصطلحات موضوعية: Materials science, biology, Condensed matter physics, Jahn–Teller effect, chemistry.chemical_element, Trapping, Dielectric, Hafnia, biology.organism_classification, Oxygen, Electronic, Optical and Magnetic Materials, chemistry, Electrical and Electronic Engineering, Safety, Risk, Reliability and Quality, Quantum tunnelling, High-κ dielectric, Monoclinic crystal system
-
3
المؤلفون: M. Muller, C. Parthasarthy, M. Denais, Sylvie Bruyere, T. Skotnicki, G. Ribes, Vincent Huard, Gerard Ghibaudo, David Roy
المصدر: 2005 IEEE International Integrated Reliability Workshop.
مصطلحات موضوعية: Materials science, Gate oxide, Gate dielectric, Electronic engineering, Process optimization, Time-dependent gate oxide breakdown, Engineering physics, Instability, Scaling, Leakage (electronics), High-κ dielectric
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8124278ebb23e7b2db4aa944bb100068
https://doi.org/10.1109/irws.2005.1609567 -
4
المؤلفون: M. Denais, David Roy, G. Ribes, Frederic Monsieur, C. Parthasarthy, T. Skotnicki, Vincent Huard, Gerard Ghibaudo, Sylvie Bruyere, M. Muller
المصدر: Proceedings of 35th European Solid-State Device Research Conference, 2005. ESSDERC 2005..
مصطلحات موضوعية: Physics, Stress (mechanics), Reliability (semiconductor), MOSFET, Electronic engineering, Substrate (electronics), Dielectric, Hafnium compounds, Engineering physics, AND gate, High-κ dielectric
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::052fa495824af9a3a91f19bad3ab3ae6
https://doi.org/10.1109/essder.2005.1546678 -
5
المؤلفون: Nathalie Revil, N. Emonet, P. Llinares, R. Difrenza, M. Denais, Roland Pantel, M. Woo, Vincent Huard, Kathy Barla, J. C. Vildeuil, H. Brut, C. Parthasarthy, M. Bidaud, P. Stolk, Franck Arnaud, David Roy, F. Guyader, K. Rochereau, L. Vishnubotla, D. Barge, Nicolas Planes, Sylvie Bruyere, B. Tavel
المصدر: IEEE International Electron Devices Meeting 2003.
مصطلحات موضوعية: Materials science, business.industry, Gate dielectric, Electrical engineering, Mixed-signal integrated circuit, Hardware_PERFORMANCEANDRELIABILITY, Plasma, Nitride, CMOS, Gate oxide, Dynamic demand, Hardware_INTEGRATEDCIRCUITS, Optoelectronics, business, Hardware_LOGICDESIGN, Leakage (electronics)
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::03aa453ac845d0b6280656c92b037bfe
https://doi.org/10.1109/iedm.2003.1269363 -
6مؤتمر
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
7مؤتمر
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
8مؤتمر
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
9مؤتمر
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
10دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.