-
1
المؤلفون: R. Kasim, C. Lin, C. Perini, J. Palmer, N. Gilda, S. Imam, J. R. Weber, C. Wallace, J. Hicks
المصدر: 2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS).
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bcd88bf4c53d525d722270024aa1cd30
https://doi.org/10.1109/irps48203.2023.10117619 -
2دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
3دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
4
المؤلفون: Leonardo H. Bertolucci, Ana P. Donadello Martins, Oscar Rockenbach Pereira, Alfredo A. Schulte, Sílvio C. Perini
المصدر: Vascular and Endovascular Surgery. :153857442311543
مصطلحات موضوعية: Surgery, General Medicine, Cardiology and Cardiovascular Medicine
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::433750780f29039d0fb781fbbe050206
https://doi.org/10.1177/15385744231154328 -
5
المؤلفون: María Ángeles Cadarso, Enrique Gilles, Luis A. López, Mateo Ortiz, Felipe Muñoz, Javiera Cáceres, Brayan Alarcón, Lida Chávez, Martín Fierro, Libertad Guzmán, Valentina Hidalgo, Andrea Martínez, Constanza Montenegro, Antonia Pérez, María Jesús Ramírez, Tomas Rogaler, Fabiola Zibetti, Sofía C. Perini, Nelson Illescas, Nicolás Jorge, Santiago Camara, Máximo Sangiacomo, Andrea González, Juan Carlos Hallak, Andrés Tacsir, Adrián Blanco Estévez, Julia Paranhos, Mariana Vaz, Fernanda Perin, Caroline Miranda, Daniela Falcão
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7f3aaa54ba49a7545265b80c8360ec87
https://doi.org/10.18235/0003837 -
6دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
7
-
8
المؤلفون: Rahim Kasim, Madhavan Atul, D. Kencke, J. R. Weber, G. W. Zhang, C. Perini, J. Palmer, C.-Y. Lin
المصدر: 2020 IEEE International Interconnect Technology Conference (IITC).
مصطلحات موضوعية: Interconnection, Reliability (semiconductor), Materials science, Dielectric strength, business.industry, Optoelectronics, Schottky diode, Time-dependent gate oxide breakdown, Dielectric, business, Leakage (electronics), Voltage
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::232c91f3c0fe0e281415abfd3e8b9651
https://doi.org/10.1109/iitc47697.2020.9515670 -
9
المؤلفون: C.-Y. Su, M. Maksud, James Waldemer, David Young, J. Palmer, S. Ramey, Mark Armstrong, H. Li, C. Perini, L. Paulson, M. El-tanani, H. Greve, Benjamin J. Orr, Sunny Chugh, Y. Yang
المصدر: IRPS
مصطلحات موضوعية: 010302 applied physics, Computer science, Transistor, Process (computing), High voltage, 02 engineering and technology, 021001 nanoscience & nanotechnology, Chip, 01 natural sciences, law.invention, Reliability engineering, Characterization (materials science), Reliability (semiconductor), law, 0103 physical sciences, 0210 nano-technology, Voltage
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::45dc665dc065eb2ae6d5561d5bd1891d
https://doi.org/10.1109/irps45951.2020.9128314 -
10دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.