يعرض 1 - 10 نتائج من 28 نتيجة بحث عن '"Canonico, Michael"', وقت الاستعلام: 0.91s تنقيح النتائج
  1. 1
    مؤتمر
    Through Silicon Via stress characterization

    المؤلفون: Thuy Dao, Triyoso, Dina H., Petras, Mike, Canonico, Michael

    المصدر: 2009 IEEE International Conference on IC Design and Technology IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09. IEEE International Conference on. :39-41 May, 2009

    Relation: 2009 IEEE International Conference on IC Design and Technology (ICICDT)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    مؤتمر
    Electron transport in Gate-All-Around uniaxial tensile strained-Si nanowire n-MOSFETs

    المؤلفون: Hashemi, Pouya, Gomez, Leonardo, Canonico, Michael, Hoyt, Judy L.

    المصدر: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting Electron Devices Meeting, 2008. IEDM 2008. IEEE International. :1-4 Dec, 2008

    Relation: 2008 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    مؤتمر
    Performance Enhancement in Uniaxially Tensile Strained-Si Gate-All-Around Nanowire n-MOSFETs

    المؤلفون: Hashemi, Pouya, Gomez, Leonardo, Canonico, Michael, Hoyt, Judy L.

    المصدر: 2008 Device Research Conference Device Research Conference, 2008. :185-186 Jun, 2008

    Relation: 2008 66th Annual Device Research Conference (DRC)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Fabrication of Strained-Si/Strained-Ge Heterostructures on Insulator

    المؤلفون: Gomez, Leonardo, Canonico, Michael, Kim, Meekyung, Hashemi, Pouya, Hoyt, Judy L.

    المصدر: Journal of Electronic Materials. March 2008 37(3):240-244

    Find this article in full text from Springer Verlag. Find this article in full text from ProQuest Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Applications of UV–Raman spectroscopy and high-resolution X-ray diffraction to microelectronic materials and devices

    المؤلفون: Liu, Ran, Canonico, Michael *

    المصدر: In Microelectronic Engineering 2004 75(3):243-251

    View record from ScienceDirect Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    Exploration of the Scaling Limits of 3D Integration

    المؤلفون: Pozder, Scott, Jones, Robert, Adams, Vance, Li, Hui-Feng, Canonico, Michael, Zollner, Stefan, Lee, Sang Hwui, Gutmann, Ronald J., Lu, Jian-Qiang

    المصدر: MRS Online Proceedings Library. 970(1)

    Find this article in full text from Springer Verlag.
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    Super critical thickness SiGe-channel heterostructure p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors using laser spike annealing.

    المؤلفون: Ní Chléirigh, Cáit, Wang, XiaoRu, Rimple, Gana, Wang, Yun, David Theodore, N., Canonico, Michael, Hoyt, Judy L.

    المصدر: Journal of Applied Physics; May2008, Vol. 103 Issue 10, p104501, 4p, 3 Diagrams, 5 Graphs

    مصطلحات موضوعية: METAL oxide semiconductors, FIELD-effect transistors, RAPID thermal processing, HETEROSTRUCTURES, SILICON compounds

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية
    Si–Ge interdiffusion in strained Si/strained SiGe heterostructures and implications for enhanced mobility metal-oxide-semiconductor field-effect transistors.

    المؤلفون: Xia, Guangrui (Maggie), Hoyt, Judy L., Canonico, Michael

    المصدر: Journal of Applied Physics; 2/15/2007, Vol. 101 Issue 4, p044901-N.PAG, 11p, 1 Chart, 16 Graphs

    مصطلحات موضوعية: EPITAXY, CRYSTAL growth, HETEROSTRUCTURES, TEMPERATURE, SIMULATION methods & models, OXIDES

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية
    In0.75Ga0.25As channel layers with record mobility exceeding 12,000 cm2/Vs for use in high-κ dielectric NMOSFETs

    المؤلفون: Droopad, Ravi, Rajagopalan, Karthik, Abrokwah, Jonathan, Canonico, Michael, Passlack, Matthias

    المصدر: In Solid State Electronics July-August 2006 50(7-8):1175-1177

    View record from ScienceDirect Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    مؤتمر
    Characterization Techniques for Evaluating Strained Si CMOS Materials.

    المؤلفون: Qianghua Xie, Ran Liu, Sharon, Xiang-Dong Wang, Canonico, Michael, Duda, Erika, Shifeng Lu, Candi Cook, Erika, Volinsky, Alex A., Zollner, Stefan, Thomas, Shawn G., White, Ted, Barr, Alex, Sadaka, Mariam, Bich-Yen Nguyen

    المصدر: AIP Conference Proceedings; 2003, Vol. 683 Issue 1, p223-227, 5p

    مصطلحات موضوعية: COMPLEMENTARY metal oxide semiconductors, SILICON, ELECTRON mobility, HOLES (Electron deficiencies)

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء