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1دورية أكاديمية
المؤلفون: Jenkins, K.A., Cartier, E.A., Yau, J.
المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 40(2):171-173 Feb, 2019
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2دورية أكاديمية
المؤلفون: Ando, T., Hashemi, P., Bruley, J., Rozen, J., Ogawa, Y., Koswatta, S., Chan, K.K., Cartier, E.A., Mo, R., Narayanan, V.
المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 38(3):303-305 Mar, 2017
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3مؤتمر
المؤلفون: Seo, S.-C., Edge, L.F., Kanakasabapathy, S., Frank, M., Inada, A., Adam, L., Wang, M.M., Watanabe, K., Jamison, P., Ariyoshi, K., Sankarapandian, M., Fan, S., Horak, D., Li, J.T., Vo, T., Haran, B., Bruley, J., Hopstaken, M., Brown, S.L., Chang, J., Cartier, E.A., Park, D.-G., Stathis, J.H., Doris, B., Divakaruni, R., Khare, M., Narayanan, V., Paruchuri, V.K.
المصدر: 2011 Symposium on VLSI Technology - Digest of Technical Papers VLSI Technology (VLSIT), 2011 Symposium on. :36-37 Jun, 2011
Relation: 2011 IEEE Symposium on VLSI Technology
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4مؤتمر
المؤلفون: Bangsaruntip, S., Majumdar, A., Cohen, G. M., Engelmann, S. U., Zhang, Y., Guillorn, M., Gignac, L. M., Mittal, S., Graham, W. S., Joseph, E. A., Klaus, D. P., Chang, J., Cartier, E.A., Sleight, J. W.
المصدر: 2010 Symposium on VLSI Technology VLSI Technology (VLSIT), 2010 Symposium on. :21-22 Jun, 2010
Relation: 2010 IEEE Symposium on VLSI Technology
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5مؤتمر
المؤلفون: Frank, M.M., Paruchuri, V.K., Narayanan, V., Bojarczuk, N., Linder, B., Zafar, S., Cartier, E.A., Gusev, E.P., Jamison, P.C., Lee, K.L., Steen, M.L., Copel, M., Cohen, S.A., Maitra, K., Wang, X., Kozlowski, P.M., Newbury, J.S., Medeiros, D.R., Oldiges, P., Guha, S., Jammy, R., Ieong, M., Shahidi, G.
المصدر: IEEE VLSI-TSA International Symposium on VLSI Technology, 2005. (VLSI-TSA-Tech). VLSI Technology VLSI Technology, 2005. (VLSI-TSA-Tech). 2005 IEEE VLSI-TSA International Symposium on. :97-98 2005
Relation: 2005 IEEE VLSI-TSA. International Symposium on VLSI Technology (VLSI-TSA-TECH)
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6مؤتمر
المؤلفون: Ren, Z., Fischetti, M.V., Gusev, E.P., Cartier, E.A., Chudzik, M.
المصدر: IEEE International Electron Devices Meeting 2003 Electron devices IEDM'03 Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International. :33.2.1-33.2.4 2003
Relation: IEEE International Electron Devices Meeting 2003
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7دورية أكاديمية
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المؤلفون: MAZET, Lucie, Frank, M.M., Schamm-Chardon, Sylvie, Cartier, E.A., Miyazoe, H., Bruley, J., YANG, S.M., Kalinin, S.V., Narayanan, Vijaykrishnan, Dubourdieu, Catherine
المساهمون: INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), IBM T.J. Watson Research Center, Matériaux et dispositifs pour l'Electronique et le Magnétisme (CEMES-MEM), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), IBM Watson Research Center, Yorktown Heights, New York, IBM T. J. Watson Research Centre, Center for Nanophase Materials Sciences [Oak Ridge] (CNMS), Oak Ridge National Laboratory [Oak Ridge] (ORNL), UT-Battelle, LLC-UT-Battelle, LLC, Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH (HZB), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)
المصدر: MRS Spring 2017
MRS Spring 2017, Apr 2017, Phœnix, United Statesمصطلحات موضوعية: [PHYS]Physics [physics], [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::c27e343bda8b05d29291618cdf7b34e6
https://hal.science/hal-02081556 -
9دورية أكاديمية
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10
المؤلفون: MAZET, Lucie, YANG, S.M., Frank, M.M., Cartier, E.A., Miyazoe, H., Bruley, J., Denneulin, Thibaud, Cours, Robin, Hÿtch, Martin J., Bouaziz, J., Botella, Claude, Magén, Cesar, Guzmán, Rodrigo, Kalinin, S.V., Narayanan, Vijaykrishnan, Schamm-Chardon, Sylvie, Dubourdieu, Catherine
المساهمون: INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Center for Nanophase Materials Sciences [Oak Ridge] (CNMS), Oak Ridge National Laboratory [Oak Ridge] (ORNL), UT-Battelle, LLC-UT-Battelle, LLC, IBM T.J. Watson Research Center, IBM Watson Research Center, Yorktown Heights, New York, IBM T. J. Watson Research Centre, Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Interférométrie, In situ et Instrumentation pour la Microscopie Electronique (CEMES-I3EM), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), University of Zaragoza - Universidad de Zaragoza [Zaragoza], Matériaux et dispositifs pour l'Electronique et le Magnétisme (CEMES-MEM), Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie, Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse)
المصدر: MRS Spring 2016
MRS Spring 2016, Mar 2016, Phœnix, États-Unisمصطلحات موضوعية: [PHYS]Physics [physics], [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::ef8bc13b8f7fe4d124905e9e3d15af92
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02083658