يعرض 1 - 10 نتائج من 33 نتيجة بحث عن '"Chen, Quanyou"', وقت الاستعلام: 0.97s تنقيح النتائج
  1. 1
    مؤتمر
    Normally-Off Schottky-Gate p-GaN HEMTs with Enhanced Irradiation Hardness

    المؤلفون: Zhou, Tianyang, Zhou, Feng, Chen, Quanyou, Lyu, Xiaofeng, Xu, Weizong, Zhou, Dong, Ren, Fangfang, Chen, Dunjun, Xia, Yuanyang, Wu, Leke, Wang, Ke, Li, Yiheng, Zhu, Tinggang, Zhang, Rong, Zheng, Youdou, Lu, Hai

    المصدر: 2024 36th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2024 36th International Symposium on. :526-529 Jun, 2024

    Relation: 2024 36th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    Interference effects in GaN high electron mobility transistor power amplifier induced by microwave pulses

    المؤلفون: Zhao, JingtaoAff1, Aff2, Chen, Quanyou, Chen, ChaoyangAff1, Aff2, Chen, ZhidongAff1, Aff2, Liu, ZhongAff1, Aff2, Zhao, GangAff1, Aff2, IDs4159802221324y_cor6

    المصدر: Scientific Reports. 12(1)

    Find this article in full text from Springer Verlag. Find this article in full text from ProQuest Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Impact of the structure on the thermal burnout effect induced by microwave pulses of PIN limiter diodes

    المؤلفون: Zhao, JingtaoAff1, Aff2, Chen, Quanyou, Chen, ZhidongAff1, Aff2, Chen, ChaoyangAff1, Aff2, Zhao, ZhenguoAff1, Aff4, Liu, ZhongAff1, Aff2, Zhao, GangAff1, Aff2, IDs4159802207326w_cor7

    المصدر: Scientific Reports. 12(1)

    Find this article in full text from Springer Verlag. Find this article in full text from ProQuest Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Design and Test of Neutron-induced Single Event Effect Monitoring System on Microprocessor

    المؤلفون: DUAN Binghuang;DU Chuanhua;ZHU Xiaofeng;LI Yue;CHEN Quanyou

    المصدر: Yuanzineng kexue jishu, Vol 56, Iss 4, Pp 734-741 (2022)

    مصطلحات موضوعية: microprocessor, neutron-induced single event effect, 14 mev neutron, testing system, Nuclear engineering. Atomic power, TK9001-9401, Nuclear and particle physics. Atomic energy. Radioactivity, QC770-798

    وصف الملف: electronic resource

    Relation: https://www.aest.org.cn/CN/10.7538/yzk.2021.youxian.0786; https://doaj.org/toc/1000-6931

    URL الوصول: https://doaj.org/article/766b567e7c014d1d897829648a03d33a

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Electrochemiluminecence nanogears aptasensor based on MIL-53(Fe)@CdS for multiplexed detection of kanamycin and neomycin

    المؤلفون: Feng, Defen, Tan, Xuecai, Wu, Yeyu, Ai, Chenhao, Luo, Yanni, Chen, Quanyou, Han, Heyou

    المصدر: In Biosensors and Bioelectronics 15 March 2019 129:100-106

    View record from ScienceDirect Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    Damage accumulation mechanism in PIN diode limiters induced via multiple microwave pulses

    المؤلفون: Zhao, JingtaoAff1, Aff2, Chen, Quanyou, Zhao, GangAff1, Aff2, Chen, ChaoyangAff1, Aff2, Chen, ZhidongAff1, Aff2

    المصدر: Scientific Reports. 10(1)

    Find this article in full text from ProQuest Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    A method to determine the strain of the AlGaN barrier layer under the gate in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors

    المؤلفون: Zhao, Jingtao, Lin, Zhaojun, Luan, Chongbiao, Chen, Quanyou, Yang, Ming, Zhou, Yang, Lv, Yuanjie, Feng, Zhihong

    المصدر: In Superlattices and Microstructures March 2015 79:21-28

    View record from ScienceDirect Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    كتاب
    Zhongguo qing tong yue zhong yan jiu
    A study of Chinese musical bronze bells

    المؤلفون: Chen, Quanyou, 1968-

    مصطلحات موضوعية: Bells -- China., Bronze age -- China., Musical instruments, Ancient -- china., Chimes.

    جغرافية الموضوع: China -- Antiquities.

    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية
    Effects of rapid thermal annealing on the electrical properties and the strain of the AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors with Ni/Au gate electrodes

    المؤلفون: Zhao, Jingtao, Lin, Zhaojun, Chen, Quanyou, Yang, Ming, Cui, Peng, Lv, Yuanjie, Feng, Zhihong

    المصدر: Applied Physics A: Materials Science & Processing. November 2015 121(3):1271-1276

    Find this article in full text from Springer Verlag. Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View this record from ISI Web of Science
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء