-
1دورية أكاديمية
المؤلفون: Xinke Liu, Hsien-Chin Chiu, Chia-Hao Liu, Hsuan-Ling Kao, Chao-Wei Chiu, Hsiang-Chun Wang, Jianwei Ben, Wei He, Chong-Rong Huang
المصدر: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 8, Pp 229-234 (2020)
مصطلحات موضوعية: p-GaN gate HEMT, normally-off, high-resistivity GaN, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971
وصف الملف: electronic resource
-
2دورية أكاديمية
المؤلفون: Chia-Hao Liu, Chong-Rong Huang, Hsiang-Chun Wang, Yi-Jie Kang, Hsien-Chin Chiu, Hsuan-Ling Kao, Kuo-Hsiung Chu, Hao-Chung Kuo, Chih-Tien Chen, Kuo-Jen Chang
المصدر: Micromachines, Vol 13, Iss 9, p 1554 (2022)
مصطلحات موضوعية: dynamic on-state resistance (Ron), field plate (FP), high-temperature gate bias (HTGB), high-temperature reverse bias (HTRB), normally off operation, off-state breakdown voltage, Mechanical engineering and machinery, TJ1-1570
وصف الملف: electronic resource
-
3دورية أكاديمية
المؤلفون: Hsiang-Chun Wang, Chia-Hao Liu, Chong-Rong Huang, Hsien-Chin Chiu, Hsuan-Ling Kao, Xinke Liu
المصدر: Micromachines, Vol 13, Iss 5, p 807 (2022)
مصطلحات موضوعية: p-GaN E-mode HEMT, normally-off, dynamic Ron, hole injection, VTH shifting, Mechanical engineering and machinery, TJ1-1570
وصف الملف: electronic resource
-
4دورية أكاديمية
المؤلفون: Hsiang-Chun Wang, Chia-Hao Liu, Chong-Rong Huang, Min-Hung Shih, Hsien-Chin Chiu, Hsuan-Ling Kao, Xinke Liu
المصدر: Materials, Vol 15, Iss 10, p 3503 (2022)
مصطلحات موضوعية: etch-stop layer, high selectivity ratio, normally off, p-GaN gate HEMT, Technology, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971, Engineering (General). Civil engineering (General), TA1-2040, Microscopy, QH201-278.5, Descriptive and experimental mechanics, QC120-168.85
وصف الملف: electronic resource
-
5دورية أكاديمية
المؤلفون: Chong-Rong Huang, Hsien-Chin Chiu, Chia-Hao Liu, Hsiang-Chun Wang, Hsuan-Ling Kao, Chih-Tien Chen, Kuo-Jen Chang
المصدر: Membranes, Vol 11, Iss 11, p 848 (2021)
مصطلحات موضوعية: QST substrate, back-barrier layer, high thermal conductivity, Chemical technology, TP1-1185, Chemical engineering, TP155-156
وصف الملف: electronic resource
-
6دورية أكاديمية
المؤلفون: Hsien-Chin Chiu, Chia-Hao Liu, Chong-Rong Huang, Chi-Chuan Chiu, Hsiang-Chun Wang, Hsuan-Ling Kao, Shinn-Yn Lin, Feng-Tso Chien
المصدر: Membranes, Vol 11, Iss 10, p 727 (2021)
مصطلحات موضوعية: p-GaN E-mode HEMT, normally-off, gate insulator, lifetime, reliability, Chemical technology, TP1-1185, Chemical engineering, TP155-156
وصف الملف: electronic resource
-
7دورية أكاديمية
المؤلفون: Yu-Chun Huang, Hsien-Chin Chiu, Hsuan-Ling Kao, Hsiang-Chun Wang, Chia-Hao Liu, Chong-Rong Huang, Si-Wen Chen
المصدر: Micromachines, Vol 12, Iss 5, p 509 (2021)
مصطلحات موضوعية: p-GaN gate HEMT, normally off, low-resistance SiC substrate, temperature, Mechanical engineering and machinery, TJ1-1570
وصف الملف: electronic resource
-
8دورية أكاديمية
المصدر: Energies, Vol 13, Iss 10, p 2479 (2020)
مصطلحات موضوعية: normally off, MISHEMT, MOCVD-regrowth, leakage current, dynamic RON, Technology
وصف الملف: electronic resource
-
9دورية أكاديمية
المؤلفون: Chia-Hao Liu, Hsien-Chin Chiu, Chong-Rong Huang, Kuo-Jen Chang, Chih-Tien Chen, Kuang-Po Hsueh
المصدر: Crystals, Vol 10, Iss 1, p 25 (2020)
مصطلحات موضوعية: normally-off, hemt, p-gan gate, low work function, leakage current, breakdown voltage, Crystallography, QD901-999
وصف الملف: electronic resource
-
10
المصدر: IEEE Electron Device Letters. 42:1432-1435
مصطلحات موضوعية: Materials science, business.industry, Band gap, Wide-bandgap semiconductor, High-electron-mobility transistor, Electronic, Optical and Magnetic Materials, Saturation current, Electric field, Logic gate, Optoelectronics, Electrical and Electronic Engineering, business, AND gate, Voltage