المؤلفون: Chhandak Mukherjee, Marina Deng, Virginie Nodjiadjim, Muriel Riet, Colin Mismer, Djeber Guendouz, Christophe Caillaud, Hervé Bertin, Nicolas Vaissiere, Mathieu Luisier, Xin Wen, Magali De Matos, Patrick Mounaix, Cristell Maneux

المصدر: Applied Sciences, Vol 11, Iss 5, p 2393 (2021)

مصطلحات موضوعية: electrical characterization, compact model, heterojunction bipolar transistor, uni-traveling carrier photodiodes, high frequency, indium-phosphide, Technology, Engineering (General). Civil engineering (General), TA1-2040, Biology (General), QH301-705.5, Physics, QC1-999, Chemistry, QD1-999

وصف الملف: electronic resource

Relation: https://www.mdpi.com/2076-3417/11/5/2393; https://doaj.org/toc/2076-3417

URL الوصول: https://doaj.org/article/11c31f499e9f4854a76200d1a600bacf

المؤلفون: Romain, Hersent, Jean-Yves, Dupuy, Agnieszka, Konczykowska, Filipe, Jorge, Fabrice, Blache, Muriel, Riet, Virginie, Nodjiadjim, Colin, Mismer, Abed-Elhak, Kasbari, Achour, Ouslimani

المصدر: 2019 IEEE BiCMOS and Compound semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS) BiCMOS and Compound semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS), 2019 IEEE. :1-4 Nov, 2019

Relation: 2019 IEEE BiCMOS and Compound semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS)

المؤلفون: Nil Davy, Marina Deng, Virginie Nodjiadjim, Chhandak Mukherjee, Muriel Riet, Colin Mismer, Jeremic Renaudier, Cristell Maneux

المساهمون: III-V lab, a joint lab between NBLF, TRT and CEA-Leti, Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 (UB)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Nokia Bell Labs [Nozay]

المصدر: IEEE 52nd European Solid-State Device Research Conference
IEEE 52nd European Solid-State Device Research Conference, Sep 2022, Milan, Italy

مصطلحات موضوعية: [SPI]Engineering Sciences [physics], Double heterojunction bipolar transistor (DHBT), Characterization, Indium Phosphide (InP), InP/InGaAs, Millimeter-wave, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::3e0edea9e76d1bcd307f427ab64d0950
https://doi.org/10.1109/essderc55479.2022.9947170

المؤلفون: Tom Keinicke Johansen, Virginie Nodjiadjim, Muriel Riet, Colin Mismer, Romain Hersent, Agnieszka Konczykowska

المصدر: Technical University of Denmark Orbit
2022 24th International Microwave and Radar Conference (MIKON)

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::64d69b7786c79892d95d1f1aad67ad10
https://doi.org/10.23919/mikon54314.2022.9924928

المؤلفون: Nil Davy, Virginie Nodjiadjim, Muriel Riet, Colin Mismer, Marina Deng, Chhandak Mukherjee, Bertrand Ardouin, Cristell Maneux

المصدر: IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems. :1-1

مصطلحات موضوعية: Electrical and Electronic Engineering, Computer Graphics and Computer-Aided Design, Software

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::24f7244c26e27ca2da6c9481f0cd1cb8
https://doi.org/10.1109/tcad.2023.3257706

المؤلفون: Marina Deng, Chhandak Mukherjee, Nil Davy, Virginie Nodjiadjim, Muriel Riet, Colin Mismer, Jeremie Renaudier, Magali De Matos, Cristell Maneux

المساهمون: Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1, Alcatel-Thales III-V Lab (III-V Lab), THALES, Université de Bordeaux (UB)

المصدر: 2021 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS)
2021 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS), Dec 2021, Monterey, United States

مصطلحات موضوعية: [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::05619489be22ea7b20b4df895d961c32
https://doi.org/10.1109/bcicts50416.2021.9682466

المؤلفون: Nil Davy, Virginie Nodjiadjim, Muriel Riet, Colin Mismer, Marina Deng, Chhandak Mukherjee, Jeremie Renaudier, Cristell Maneux

المصدر: 2021 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS)

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::53ba1fa815c90ad7560e2f187ecea1ba
https://doi.org/10.1109/bcicts50416.2021.9682209

المؤلفون: Marina Deng, Muriel Riet, Patrick Mounaix, Cristell Maneux, Chhandak Mukherjee, Virginie Nodjiadjim, Hervé Bertin, Xin Wen, Magali De Matos, Mathieu Luisier, Christophe Caillaud, Djeber Guendouz, Nicolas Vaissiere, Colin Mismer

المساهمون: Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1, University of Bordeaux, Alcatel-Thalès III-V lab (III-V Lab), THALES-ALCATEL, Nokia Bell Labs, Eidgenössische Technische Hochschule - Swiss Federal Institute of Technology [Zürich] (ETH Zürich), University of Bordeaux, IMS, CNRS 5218

المصدر: Applied Sciences, 11 (5)
MDPI Applied Sciences-Special Issue on State-of-the-art Terahertz Science and Technology
MDPI Applied Sciences-Special Issue on State-of-the-art Terahertz Science and Technology, 2021, ⟨10.3390/app11052393⟩
Applied Sciences
Applied Sciences, Vol 11, Iss 2393, p 2393 (2021)

مصطلحات موضوعية: Computer science, Heterojunction bipolar transistor, 02 engineering and technology, Integrated circuit, lcsh:Technology, 01 natural sciences, Die (integrated circuit), law.invention, lcsh:Chemistry, terahertz, law, compact model, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, electrical characterization, heterojunction bipolar transistor, uni-traveling carrier photodiodes, high frequency, indium-phosphide, sub-millimeter wave, TCAD and Monte Carlo simulations, General Materials Science, lcsh:QH301-705.5, Instrumentation, 010302 applied physics, Fluid Flow and Transfer Processes, General Engineering, lcsh:QC1-999, Computer Science Applications, Software design, Design flow, Indium phosphide, High frequency HF, 0103 physical sciences, Electronic engineering, Electronics, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Terahertz communication, lcsh:T, business.industry, Electrical characterisation, Process Chemistry and Technology, 020206 networking & telecommunications, Circuit reliability, [INFO.INFO-MO]Computer Science [cs]/Modeling and Simulation, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics, lcsh:Biology (General), lcsh:QD1-999, lcsh:TA1-2040, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, Photonics, lcsh:Engineering (General). Civil engineering (General), business, lcsh:Physics, Heterojunction bipolar transistors

وصف الملف: application/application/pdf

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::58956c376b7bba153fccc2783a96b897

المؤلفون: Pierre Etienne Allain, Marc Gely, Maxime Hermouet, Benjamin Walter, Marc Faucher, Sebastien Hentz, Giuseppe Leo, E. Mairiaux, Colin Mismer, Lucien Schwab, Ivan Favero, Bernard Legrand, Guillaume Jourdan

المساهمون: Laboratoire Matériaux et Phénomènes Quantiques (MPQ (UMR_7162)), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Paris Cité (UPCité), Équipe Microsystèmes électromécaniques (LAAS-MEMS), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Vmicro SAS (Vmicro), QuaSeRT ANR-18-QUAN-0006, Agence Nationale de la Recherche, GANOMS no. 306664, H2020 European Research Council, FET VIRUSCAN project no. 731868, European Commission, Renatech Network, ANR-14-CE26-0019,OLYMPIA,Sondes opto-mécaniques pour la microscopie AFM rapide(2014), ANR-18-QUAN-0006,QuaSeRT,Optomechanical quantum sensors at room temperature(2018), European Project: 306664,EC:FP7:ERC,ERC-2012-StG_20111012,GANOMS(2013), Université Paris Diderot - Paris 7 (UPD7)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Nano and Microsystems - IEMN (NAM6 - IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520 (IEMN), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Lille-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Ecole Centrale de Lille-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN), Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information (CEA-LETI), Université Grenoble Alpes (UGA)-Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Paris (UP), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées

المصدر: Nanoscale
Nanoscale, 2020, 12 (5), pp.2939-2945. ⟨10.1039/c9nr09690f⟩
Nanoscale, 2020, 12 (5), pp.2939-2945. ⟨10.1039/C9NR09690F⟩
Nanoscale, Royal Society of Chemistry, 2020, 12 (5), pp.2939-2945. ⟨10.1039/c9nr09690f⟩

مصطلحات موضوعية: Physics - Instrumentation and Detectors, Nanostructure, Cantilever, Materials science, FOS: Physical sciences, Applied Physics (physics.app-ph), 02 engineering and technology, 01 natural sciences, 0103 physical sciences, Microscopy, General Materials Science, [PHYS.PHYS.PHYS-INS-DET]Physics [physics]/Physics [physics]/Instrumentation and Detectors [physics.ins-det], [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, 010306 general physics, Brownian motion, business.industry, Force spectroscopy, Instrumentation and Detectors (physics.ins-det), Physics - Applied Physics, 021001 nanoscience & nanotechnology, Microsecond, Amplitude, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, Optoelectronics, Nanometre, 0210 nano-technology, business

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::256758980b58ce89b0f3f270524026ae
https://hal.science/hal-02997481

المؤلفون: L. Burgnies, Guillaume Ducournau, J. Hao, Didier Lippens, É. Lheurette, Nicolas Fernez, Colin Mismer

المساهمون: Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Dispostifs Opto et Micro Electronique - IEMN (DOME - IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Université du Littoral Côte d'Opale (ULCO), Photonique THz - IEMN (PHOTONIQ THz - IEMN), Photonique THz - IEMN (PHOTONIQUE THz - IEMN), A C K N O W L E D G M E N T :Author N. Fernez would like to thank the Direction Générale de l’Armement and Lille University for their support for Doctoral Fellowship. Author J. Hao would like to thank the China Scholarship Council for her Ph.D. Fellowship

المصدر: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2018, 66 (4), pp.1764-1772. ⟨10.1109/TMTT.2017.2784808⟩
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 2018, 66 (4), pp.1764-1772. ⟨10.1109/TMTT.2017.2784808⟩

مصطلحات موضوعية: Physics, perfect metamaterial absorbers, Radiation, electromagnetic absorber, Absorption spectroscopy, Metamaterial, 020206 networking & telecommunications, 02 engineering and technology, Dielectric, 021001 nanoscience & nanotechnology, Condensed Matter Physics, Computational physics, Dielectric resonator, Resonator, [SPI]Engineering Sciences [physics], metamaterials, Q factor, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, Radiative transfer, RLC circuit, Electrical and Electronic Engineering, 0210 nano-technology, Ground plane

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::fe3c2d3c82c6a5f630ad578b4984e259
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03185107