المؤلفون: C. Plantier, Pascal Besson, C. Le Royer, A. Bonnevialle, Michel Haond, Remy Berthelon, M. Vinet, Olivier Weber, M. Casse, S. Reboh, J-M. Pedini, Yves Morand, Alain Claverie, J.M. Hartmann, B. Mathieu, D. Rouchon, Francois Andrieu, Frederic Boeuf, D. Marseilhan, Sebastien Kerdiles, N. Rambal

المساهمون: STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Matériaux et dispositifs pour l'Electronique et le Magnétisme (CEMES-MEM), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)

المصدر: VLSI Technology, 2016 IEEE Symposium on
VLSI Technology, 2016 IEEE Symposium on, 2016, Unknown, Unknown Region. ⟨10.1109/VLSIT.2016.7573406⟩
2016 IEEE Symposium on VLSI Technology

مصطلحات موضوعية: Mobility model, Electron mobility, Materials science, Electrical data, Silicon on insulator, Hole mobility, 02 engineering and technology, VLSI circuits, 01 natural sciences, State of the art, Stress (mechanics), 0103 physical sciences, Electronic engineering, Active regions, 010302 applied physics, Very-large-scale integration, [PHYS]Physics [physics], Strain (chemistry), business.industry, Creep, 021001 nanoscience & nanotechnology, CMOS, Smart solutions, Optoelectronics, Stress profile, Creep process, 0210 nano-technology, business

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f40591e840f3628feb44812ad9fa4d18
https://hal.science/hal-01719489

المؤلفون: A. Roule, Nicolas Bernier, Maud Vinet, C. Plantier, J. M. Pedini, C. Le Royer, L. Grenouillet, Y. Morand, A. Bonnevialle, D. Marseilhan, Claude Tabone, D. Rouchon, Pascal Besson, S. Reboh

المصدر: Extended Abstracts of the 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials.

مصطلحات موضوعية: Materials science, Creep, Strain (chemistry), Silicon on insulator, Wafer, Tensile strain, Composite material

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::89e933226aaffad25a5bab6720dc2bf5
https://doi.org/10.7567/ssdm.2015.n-2-3

المؤلفون: P. Holliger, Jean-Paul Barnes, D. Marseilhan, F. Fillot, J.M. Hartmann

المصدر: Applied Surface Science. 255:1412-1414

مصطلحات موضوعية: Silicon, Analytical chemistry, General Physics and Astronomy, chemistry.chemical_element, Germanium, Surfaces and Interfaces, General Chemistry, Condensed Matter Physics, Mass spectrometry, Charged particle, Semimetal, Surfaces, Coatings and Films, Ion, Silicon-germanium, chemistry.chemical_compound, chemistry, Spectroscopy

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::87328b896838371cb1318075aaef4dd5
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.06.048

المؤلفون: H. Feldis, Stephane Minoret, N. Sillon, R. Eleouet, Daniel Scevola, Perceval Coudrain, T. Enot, R. Segaud, Mathilde Gottardi, I. Charbonnier, A. Charpentier, C. Ribiere, D. Marseilhan, M. Assous, V. Loup, Gilles Romero, Thierry Mourier, Nacima Allouti, J. P. Bally, M. Pellat, A. Roman, L. Gabette, C. Laviron, Thomas Magis, E. Dupuy, B. Martin, C. Ratin

المصدر: 2013 IEEE International Interconnect Technology Conference - IITC.

مصطلحات موضوعية: Engineering, Reliability (semiconductor), business.industry, Process (engineering), Process integration, Interposer, Systems engineering, State (computer science), business, Realization (systems), Manufacturing engineering, Toolbox, Line (electrical engineering)

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0a106d0e2f8934296abe0b3f509be27c
https://doi.org/10.1109/iitc.2013.6615598

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