يعرض 1 - 10 نتائج من 110 نتيجة بحث عن '"Denis Rideau"', وقت الاستعلام: 0.99s تنقيح النتائج
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    المساهمون: Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), ANR-20-CE24-0004,GeSPAD,Diode à avalanche à photon unique en Germanium : de la caractérisation à la simulation avancée(2020)

    المصدر: Solid-State Electronics
    Solid-State Electronics, 2022, 194, pp.108376. ⟨10.1016/j.sse.2022.108376⟩

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    المساهمون: STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), INL - Conception de Systèmes Hétérogènes (INL - CSH), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Genève = University of Geneva (UNIGE), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-JUNIA (JUNIA), Université catholique de Lille (UCL)-Université catholique de Lille (UCL), ANR-20-CE24-0004,GeSPAD,Diode à avalanche à photon unique en Germanium : de la caractérisation à la simulation avancée(2020)

    المصدر: Journal of Physics D: Applied Physics
    Journal of Physics D: Applied Physics, IOP Publishing, In press, ⟨10.1088/1361-6463/ac9b6a⟩
    Journal of Physics D: Applied Physics, In press, ⟨10.1088/1361-6463/ac9b6a⟩

  7. 7

    المساهمون: Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

    المصدر: IEEE Journal of the Electron Devices Society
    IEEE Journal of the Electron Devices Society, IEEE Electron Devices Society, 2021, pp.1-1. ⟨10.1109/JEDS.2021.3127013⟩
    IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 1098-1102 (2021)

  8. 8

    المساهمون: Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

    المصدر: 2021 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)
    2021 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Sep 2021, Dallas, United States. pp.293-296, ⟨10.1109/SISPAD54002.2021.9592567⟩

  9. 9

    المساهمون: Équipe Modélisation Multi-niveaux des Matériaux (LAAS-M3), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Équipe Matériaux et Procédés pour la Nanoélectronique (LAAS-MPN), STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), CNR Istituto Officina dei Materiali (IOM), Consiglio Nazionale delle Ricerche [Roma] (CNR), European Project: 871813,H2020-EU.2.1.1. - INDUSTRIAL LEADERSHIP - Leadership in enabling and industrial technologies - Information and Communication Technologies (ICT) ,MUNDFAB (2020), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT), National Research Council of Italy | Consiglio Nazionale delle Ricerche (CNR)

    المصدر: International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)
    International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Sep 2021, Dallas, United States. ⟨10.1109/SISPAD54002.2021.9592580⟩
    2021 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)
    2021 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Sep 2021, Dallas, United States. pp.219-223, ⟨10.1109/SISPAD54002.2021.9592580⟩
    International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Sep 2021, Dallas, United States. pp.219-223, ⟨10.1109/SISPAD54002.2021.9592580⟩

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