يعرض 1 - 10 نتائج من 22 نتيجة بحث عن '"Dzyadukh, Stanislav M."', وقت الاستعلام: 1.00s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View this record from ISI Web of Science
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    Admittance characterization of pentacene metal-insulator-semiconductor capacitors with SiO2 and SiO2/Ga2O3 insulators in temperature range of 9–300 K

    المؤلفون: Voitsekhovskii, Alexander V., Nesmelov, Sergey N., Novikov, Vadim A., Dzyadukh, Stanislav M., Kopylova, Tatyana N., Ivonin, Ivan V., Degtyarenko, Konstantin M., Tereshchenko, Evgeny V.

    المصدر: In Thin Solid Films 31 December 2019 692

    View record from ScienceDirect Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Interface properties of MIS structures based on hetero-epitaxial graded-gap Hg1-xCdxTe with CdTe interlayer created in situ during MBE growth

    المؤلفون: Voitsekhovskii, Alexander V., Nesmelov, Sergey N., Dzyadukh, Stanislav M., Varavin, Vasily S., Dvoretsky, Sergey A., Mikhailov, Nikolay N., Yakushev, Maksim V., Sidorov, Georgy Yu.

    المصدر: In Superlattices and Microstructures November 2017 111:1195-1202

    View record from ScienceDirect Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View this record from ISI Web of Science
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Temperature spectra of conductance of Ge/Si p-i-n structures with Ge quantum dots

    المؤلفون: Izhnin, Ihor I., Fitsych, Olena I., Pishchagin, Anton A., Kokhanenko, Andrei P., Voitsekhovskii, Alexander V., Dzyadukh, Stanislav M., Nikiforov, Alexander I.

    المصدر: Nanoscale Research Letters. December 2017 12(1):1-5

    Find this article in full text from Springer Verlag. Find this article in full text from ProQuest Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    Diffusion Limitation of Dark Current in the nBn Structures Based on the MBE HgCdTe

    المؤلفون: Voytsekhovskiy, Alexander V., Nesmelov, Sergey N., Dzyadukh, Stanislav M., Dvoretsky, Sergei A., Mikhailov, Nikolay N., Sidorov, Georgiy Yu., Yakushev, Maxim V.

    المصدر: Journal of communications technology and electronics. 2022. Vol. 67, № 3. P. 308-312

    مصطلحات موضوعية: Radiation, темновой ток, инфракрасные детекторы, молекулярно-лучевая эпитаксия, Electrical and Electronic Engineering, Condensed Matter Physics, диффузионное ограничение, Electronic, Optical and Magnetic Materials

    URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::634490c2ba16373d2e0ff782303863e3
    https://doi.org/10.1134/s1064226922030172

    Find this article in full text from Springer Verlag.
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    Admittance Investigation of MIS Structures with HgTe-Based Single Quantum Wells

    المؤلفون: Izhnin, Ihor I., Nesmelov, Sergey N., Dzyadukh, Stanislav M., Voitsekhovskii, Alexander V., Gorn, Dmitry I., Dvoretsky, Sergey A., Mikhailov, Nikolaj N.

    المصدر: Nanoscale Research Letters. December 2016 11(1):1-4

    Find this article in full text from Springer Verlag. Find this article in full text from ProQuest Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View this record from ISI Web of Science
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    Impact of the graded-gap layer on the admittance of MIS structures based on MBE-grown n-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) with the Al2O3 insulator

    المؤلفون: Voytsekhovskiy, Alexander V., Dzyadukh, Stanislav M., Vasilev, Vladimir V., Varavin, Vasilii S., Dvoretsky, Sergei A., Mikhailov, Nikolay N., Yakushev, Maxim V., Sidorov, Georgiy Y., Nesmelov, Sergey N.

    المصدر: Journal of communications technology and electronics. 2018. Vol. 63, № 3. P. 281-284

    مصطلحات موضوعية: адмиттанс, оксид алюминия, МДП-структуры

    وصف الملف: application/pdf

    URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::a81b7beaf0e6ea79588a969ff878bde1
    http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000626219

    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    Admittance Spectroscopy for the Research of Germanium-on-Silicon Quantum Dot Structures Parameters

    المؤلفون: Satdarov, Vadim G., Kokhanenko, Andrey P., Kalin, Eugeniy A., Nikiforov, Alexander I., Dzyadukh, Stanislav M., Voytsekhovskiy, Alexander V.

    المساهمون: Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ, Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники, Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ

    المصدر: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 10/3. С. 241-242

    مصطلحات موضوعية: спектроскопия, германий, наногетероструктуры, квантовые точки, кремний

    وصف الملف: application/pdf

    URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::cdcec5e10eecd424a6041aaa478f061b
    https://openrepository.ru/article?id=803419

    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء