يعرض 1 - 10 نتائج من 50 نتيجة بحث عن '"Eijkemans, T. J."', وقت الاستعلام: 0.98s تنقيح النتائج
  1. 1
    مؤتمر
    Role of Surface Morphology for INAS Quantum Dot or Dash Formation on INGAASP/INP (100)

    المؤلفون: Sritirawisarn, N., van Otten, F.W.M., Eijkemans, T. J., Notzel, R.

    المصدر: 2007 IEEE 19th International Conference on Indium Phosphide & Related Materials Indium Phosphide & Related Materials, 2007. IPRM '07. IEEE 19th International Conference on. :178-181 May, 2007

    Relation: 2007 IEEE 19th International Conference on Indium Phosphide & Related Materials

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    (In,Ga)As Quantum Dot Array Formation by Self-Organized Anisotropic Strain Engineering of an (In,Ga)As/GaAs Quantum Wire Template: Shallow-Pattern Effects

    المؤلفون: Mano, T., Nötzel, R., Hamhuis, G. J., Eijkemans, T. J., Smalbrugge, E., Wolter, J. H.

    المصدر: MRS Online Proceedings Library. 794(1):14-19

    Find this article in full text from Springer Verlag.
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Formation of linear InAs quantum dot arrays on InGaAsP/InP (100) by self-organized anisotropic strain engineering and their optical properties.

    المؤلفون: Sritirawisarn, N., van Otten, F. W. M., Eijkemans, T. J., Nötzel, R.

    المصدر: Journal of Applied Physics; 9/1/2007, Vol. 102 Issue 5, p053514, 7p, 6 Diagrams, 1 Chart, 4 Graphs

    مصطلحات موضوعية: INDIUM arsenide, QUANTUM dots, ANISOTROPY, EPITAXY, LATTICE dynamics, QUANTUM electronics

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Lateral wavelength control of InAs/InGaAsP/InP (100) quantum dots in the 1.55 μm region by selective-area metal organic vapor-phase epitaxy.

    المؤلفون: Zhou, D., Anantathanasarn, S., van Veldhoven, P. J., van Otten, F. W. M., Eijkemans, T. J., de Vries, T., Smalbrugge, E., Nötzel, R.

    المصدر: Journal of Applied Physics; 12/1/2006, Vol. 100 Issue 11, p113512, 4p, 2 Diagrams, 4 Graphs

    مصطلحات موضوعية: QUANTUM dots, EPITAXY, ATOMIC force microscopy, OPTOELECTRONIC devices, METAL organic chemical vapor deposition

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    InAs/InGaAsP sidewall quantum dots on shallow-patterned InP (311)A.

    المؤلفون: Zhou, D., Nötzel, R., van Otten, F. W. M., van Veldhoven, P. J., Eijkemans, T. J.

    المصدر: Journal of Applied Physics; 9/15/2006, Vol. 100 Issue 6, p063505, 4p, 1 Color Photograph, 1 Diagram, 3 Graphs

    مصطلحات موضوعية: QUANTUM dots, MOLECULAR beam epitaxy, PHOTOLUMINESCENCE, PIEZOELECTRICITY, NANOWIRES, OPTOELECTRONIC devices

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    Optical properties of stacked InGaAs sidewall quantum wires in InGaAsP/InP.

    المؤلفون: Zhou, D., Nötzel, R., van Otten, F. W. M., Eijkemans, T. J., Wolter, J. H.

    المصدر: Journal of Applied Physics; 5/15/2006, Vol. 99 Issue 10, p103511, 5p, 6 Graphs

    مصطلحات موضوعية: QUANTUM theory, PHYSICS, EPITAXY, CRYSTAL growth, MOLECULAR beam epitaxy

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    Dichroic reflection of InAs/GaAs quantum dots.

    المؤلفون: Bogaart, E. W., Haverkort, J. E. M., Eijkemans, T. J., Mano, T., Nötzel, R., Wolter, J. H.

    المصدر: Journal of Applied Physics; 10/1/2005, Vol. 98 Issue 7, p073519, 5p, 1 Color Photograph, 3 Graphs

    مصطلحات موضوعية: QUANTUM dots, OPTICAL polarization, SPECTRUM analysis, PHOTOLUMINESCENCE, STATISTICAL methods in chemistry, DICHROISM

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية
    Wavelength-tunable (1.55-μm region) InAs quantum dots in InGaAsP/InP (100) grown by metal-organic vapor-phase epitaxy.

    المؤلفون: Anantathanasarn, S., Nötzel, R., van Veldhoven, P. J., Eijkemans, T. J., Wolter, J. H.

    المصدر: Journal of Applied Physics; 7/1/2005, Vol. 98 Issue 1, p013503, 7p, 1 Color Photograph, 1 Diagram, 6 Graphs

    مصطلحات موضوعية: QUANTUM dots, QUANTUM electronics, SEMICONDUCTORS, EPITAXY, CRYSTAL growth, MONOMOLECULAR films

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية
    (In,Ga)As sidewall quantum wires on shallow-patterned InP (311)A.

    المؤلفون: Zhou, D., Nötzel, R., Gong, Q., Offermans, P., Koenraad, P. M., van Veldhoven, P. J., van Otten, F. W. M., Eijkemans, T. J., Wolter, J. H.

    المصدر: Journal of Applied Physics; 3/15/2005, Vol. 97 Issue 6, p063510, 5p, 1 Color Photograph, 6 Graphs

    مصطلحات موضوعية: NANOWIRES, QUANTUM wells, TEMPERATURE, CRYSTAL growth, SPECTRUM analysis, MOLECULAR beam epitaxy

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية
    Complex quantum dot arrays formed by combination of self-organized anisotropic strain engineering and step engineering on shallow patterned substrates.

    المؤلفون: Mano, T., Nötzel, R., Zhou, D., Hamhuis, G. J., Eijkemans, T. J., Wolter, J. H.

    المصدر: Journal of Applied Physics; 1/1/2005, Vol. 97 Issue 1, p014304, 5p, 5 Black and White Photographs, 1 Diagram, 1 Graph

    مصطلحات موضوعية: QUANTUM dots, ANISOTROPY, NANOWIRES, SUPERLATTICES, MOLECULAR beam epitaxy, SEMICONDUCTORS

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء