المؤلفون: Abraham, Nitzan

المساهمون: Nitzan, Abraham

المصدر: Chemical Dynamics in Condensed Phases: Relaxation, Transfer, and Reactions in Condensed Molecular Systems.

الإتاحة: https://doi.org/10.1093/9780191947971.003.0016

المؤلفون: Siebert, Reiner^{Aff1, Aff2, IDs13148023015603_cor1}, Ammerpohl, Ole, Rossini, Mirko^{Aff2, Aff3}, Herb, Dennis, Rau, Sven, Plenio, Martin B.^{Aff2, Aff5}, Jelezko, Fedor^{Aff2, Aff6}, Ankerhold, Joachim^{Aff2, Aff3}

المصدر: Clinical Epigenetics. 15(1)

المؤلفون: Kozak, Joseph P., Zhang, Ruizhe, Liu, Jingcun, Ngo, Khai D. T., Zhang, Yuhao

المصدر: 2020 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) Reliability Physics Symposium (IRPS), 2020 IEEE International. :1-6 Apr, 2020

Relation: 2020 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)

المؤلفون: Farshad Farshidfar, Hannah Oreskovic, Dominic H. Ryan, Khashayar Ghandi

المصدر: Advanced Physics Research, Vol 3, Iss 2, Pp n/a-n/a (2024)

مصطلحات موضوعية: electrical properties, electron hopping, ionic deficiency, MgFe2O4, Physics, QC1-999

وصف الملف: electronic resource

Relation: https://doaj.org/toc/2751-1200

URL الوصول: https://doaj.org/article/3c5f369541e043e795bd877e777efce2

المؤلفون: Farshad Farshidfar, Arash Fattahi, Ralf Brüning, Dominic H. Ryan, Khashayar Ghandi

المصدر: Journal of Advanced Ceramics, Vol 12, Iss 8, Pp 1612-1624 (2023)

مصطلحات موضوعية: mgfe2o4, spinel, structural distortion, electron hopping, Clay industries. Ceramics. Glass, TP785-869

وصف الملف: electronic resource

Relation: https://www.sciopen.com/article/10.26599/JAC.2023.9220775; https://doaj.org/toc/2226-4108; https://doaj.org/toc/2227-8508

URL الوصول: https://doaj.org/article/682d6b7bcd0b442f8f1bdc32809a265c

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

المؤلفون: Pornsawan Kum-onsa, Narong Chanlek, Masaki Takesada, Pornjuk Srepusharawoot, Prasit Thongbai

المصدر: Engineering and Applied Science Research, Vol 48, Iss 6, Pp 766-772 (2021)

مصطلحات موضوعية: dielectric permittivity, dielectric relaxation, electron hopping, interfacial polarization, Technology, Technology (General), T1-995

وصف الملف: electronic resource

Relation: https://ph01.tci-thaijo.org/index.php/easr/article/download/244868/166544/; https://doaj.org/toc/2539-6161; https://doaj.org/toc/2539-6218

URL الوصول: https://doaj.org/article/e52b74bcc6814339b88d205a2dede184

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

المؤلفون: N. A. Poklonski, S. A. Vyrko, A. I. Kovalev, I. I. Anikeev, N. I. Gorbachuk

المصدر: Pribory i Metody Izmerenij, Vol 12, Iss 1, Pp 13-22 (2021)

مصطلحات موضوعية: doped semiconductor, diode with hydrogen-like donors of two types, triple-charged intrinsic point defects, electron hopping migration, peltier element, Engineering (General). Civil engineering (General), TA1-2040

وصف الملف: electronic resource

Relation: https://pimi.bntu.by/jour/article/view/695; https://doaj.org/toc/2220-9506; https://doaj.org/toc/2414-0473

URL الوصول: https://doaj.org/article/5b1220861ba34c9c90bf16cfc877b03a