يعرض 1 - 10 نتائج من 2,431 نتيجة بحث عن '"FDSOI"', وقت الاستعلام: 1.72s تنقيح النتائج
  1. 1
    مؤتمر
    Do Radiation and Aging Impact DVFS? TCAD-based Analysis on 22 nm FDSOI Latches

    المؤلفون: Zhang, Zhe, Weis, Christian, Wehn, Norbert, Tahoori, Mehdi, Nassif, Sani

    المصدر: 2024 IEEE 30th International Symposium on On-Line Testing and Robust System Design (IOLTS) On-Line Testing and Robust System Design (IOLTS), 2024 IEEE 30th International Symposium on. :1-6 Jul, 2024

    Relation: 2024 IEEE 30th International Symposium on On-Line Testing and Robust System Design (IOLTS)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    مؤتمر
    Super-low power X Band, Voltage Controlled Oscillator designed in 22 nm FDSOI

    المؤلفون: Kumar, Piyush, Boehme, Enno, Maurer, Linus

    المصدر: 2024 25th International Microwave and Radar Conference (MIKON) Microwave and Radar Conference (MIKON), 2024 25th International. :17-21 Jul, 2024

    Relation: 2024 25th International Microwave and Radar Conference (MIKON)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    مؤتمر
    A Broadband 22nm FDSOI D-Band Power Amplifier with Dynamic Back Gate Bias Gain-Linearization Achieving 9.6% PAE at 8.7 dBm OPldB and 3.7% at 6 dB Back-off

    المؤلفون: Engelmann, Andre, Scheller, Kai, Probst, Florian, Koch, Manuel, Weigel, Robert, Fischer, Georg

    المصدر: 2024 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium - IMS 2024 Microwave Symposium - IMS 2024, 2024 IEEE/MTT-S International. :1077-1080 Jun, 2024

    Relation: 2024 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium - IMS 2024

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    مؤتمر
    A 22FDX® Wi-Fi PA Demonstrating a New LDMOS Device with 10V Breakdown Achieving Output Power of 29.5dBm at 40% PAE

    المؤلفون: Balasubramaniyan, Arul, Hui, Xuemei, Bellaouar, Abdellatif, Campos, Miguel Meza, Bharadwaj, Apurv, Veeramani, Elan, Syed, Shafi

    المصدر: 2024 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC) Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC), 2024 IEEE. :35-38 Jun, 2024

    Relation: 2024 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    مؤتمر
    Test Methods for TID Effects on Capacitors

    المؤلفون: Ramamurthy, Chandarasekaran, Anbazhagan, Harrish, Rajeswara, B

    المصدر: 2024 IEEE 42nd VLSI Test Symposium (VTS) VLSI Test Symposium (VTS), 2024 IEEE 42nd. :1-4 Apr, 2024

    Relation: 2024 IEEE 42nd VLSI Test Symposium (VTS)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    مؤتمر
    Power-up Self Auto Calibration of High Speed SAR Converter in a 22nm FD-SOI CMOS Process

    المؤلفون: Rezazadehshabilouyoliya, Vahid, Kizmaz, Muhammed Mustafa, Tekin, Ahmet

    المصدر: 2024 IEEE 42nd VLSI Test Symposium (VTS) VLSI Test Symposium (VTS), 2024 IEEE 42nd. :1-5 Apr, 2024

    Relation: 2024 IEEE 42nd VLSI Test Symposium (VTS)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    Hybrid-Precision Synapse Based-on FDSOI FeFETs With Back-Gate Bias Modulation

    المؤلفون: Zhang, M., Chou, L., Zhang, H., Qian, H., Jin, C., Chen, B., Cheng, R., Liu, Y., Bernard, G., Loubriat, S., Nguyen, B., Yu, X., Chen, J., Han, G.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 71(6):3994-3997 Jun, 2024

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية
    Modeling Thermal Effects for 28-nm Node Fully Depleted SOI Devices Under Cryogenic Temperatures

    المؤلفون: Wang, Z., Povolotskyi, M., Vasileska, D.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 71(6):3838-3844 Jun, 2024

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية
    Multi-Band Signal Generation Using Reconfigurable Harmonics in Coupled Oscillator Loops

    المؤلفون: Mansha, M.W., Elmenshawi, A., Muralidharan, S., Hella, M.M.

    المصدر: IEEE Microwave and Wireless Technology Letters IEEE Microw. Wireless Tech. Lett. Microwave and Wireless Technology Letters, IEEE. 34(4):439-442 Apr, 2024

    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية
    A 4-to-6-GHz Cryogenic CMOS LNA With 4.4-K Average Noise Temperature in 22-nm FDSOI

    المؤلفون: Das, S., Raman, S., Bardin, J.C.

    المصدر: IEEE Microwave and Wireless Technology Letters IEEE Microw. Wireless Tech. Lett. Microwave and Wireless Technology Letters, IEEE. 34(4):411-414 Apr, 2024

    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء