المؤلفون: Vethaak, T.D., Gustavo, F., Farjot, T., Kubart, T., Gergaud, P., Zhang, S.-L., Lefloch, F., Nemouchi, F.

المصدر: In Microelectronic Engineering 1 May 2021 244-246

المؤلفون: Aime, D., Froment, B., Cacho, F., Carron, V., Descombes, S., Morand, Y., Emonet, N., Wacquant, F., Farjot, T., Jullian, S., Laviron, C., Juhel, M., Pantel, R., Molins, R., Delille, D., Halimaoui, A., Bensahel, D., Souifi, A.

المصدر: IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting, 2004. Electron devices meeting Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest. IEEE International. :87-90 2004

Relation: 2004 International Electron Devices Meeting

المؤلفون: Achard, H., Ducroquet, F., Coudert, F., Previtali, B., Lugand, J.F., Ulmer, L., Farjot, T., Gobil, Y., Heitzmann, M., Tedesco, S., Nier, M.E., Deleonibus, S.

المصدر: 30th European Solid-State Device Research Conference Solid-State Device Research Conference, 2000. Proceeding of the 30th European. :408-411 2000

Relation: 30th European Solid-State Device Research Conference

المؤلفون: Ducroquet, F., Achard, H., Coudert, F., Previtali, B., Lugand, J.-F., Ulmer, L., Farjot, T., Gobil, Y., Heitzmann, M., Tedesco, S., Nier, M.E., Deleonibus, S.

المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 48(8):1816-1821 Aug, 2001

المؤلفون: Vethaak, T. D., Gustavo, F., Farjot, T., Kubart, T., Gergaud, P., Zhang, S.-L., Nemouchi, F., Lefloch, F.

المصدر: Journal of Applied Physics; 3/14/2021, Vol. 129 Issue 10, p1-8, 8p

مصطلحات موضوعية: THERMAL stresses, RAPID thermal processing, SUPERCONDUCTING transitions, SUPERCONDUCTING films, SILICON wafers, SUPERCONDUCTING transition temperature, SILICIDES, VANADIUM compounds

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

المؤلفون: Fillot, F., Maîtrejean, S., Farjot, T., Guillaumot, B.^{Aff1, Aff2}, Chenevier, B., Passemard, G.^{Aff1, Aff2}

المصدر: MRS Online Proceedings Library. 786(1)

المؤلفون: Maîtrejean, S., Allégret, S., Fillot, F., Farjot, T., Guillaumot, B., Passemard, G.

المصدر: MRS Online Proceedings Library. 786(1)

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.