يعرض 1 - 4 نتائج من 4 نتيجة بحث عن '"Feil, M. W."', وقت الاستعلام: 4.32s تنقيح النتائج
  1. 1
    مؤتمر
    A new test procedure to realistically estimate end-of-life electrical parameter stability of SiC MOSFETs in switching operation

    المؤلفون: Salmen, P., Feil, M. W., Waschneck, K., Reisinger, H., Rescher, G., Aichinger, T.

    المصدر: 2021 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) Reliability Physics Symposium (IRPS), 2021 IEEE International. :1-7 Mar, 2021

    Relation: 2021 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    Temperature-dependent electroluminescence of a gate pulsed silicon carbide metal–oxide–semiconductor field-effect transistor: Insight into interface traps.

    المؤلفون: Weger, M., Feil, M. W., Van Orden, M., Cottom, J., Bockstedte, M., Pobegen, G.

    المصدر: Journal of Applied Physics; 7/21/2023, Vol. 134 Issue 3, p1-10, 10p

    مصطلحات موضوعية: METAL oxide semiconductor field-effect transistors, FIELD-effect transistors, SILICON carbide, ELECTROLUMINESCENCE, PHOTON emission, LITERATURE reviews, CAPACITANCE measurement

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View this record from ISI Web of Science
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View this record from ISI Web of Science
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء