المؤلفون: Racanelli, M., Huang, W.M., Shin, H.C., Foerstner, J., Hwang, B.-Y., Cheng, S., Fejes, P.L., Park, H., Wetteroth, T., Hong, S., Shin, H., Wilson, S.R.

المصدر: Proceedings of International Electron Devices Meeting Electron devices Electron Devices Meeting, 1995. IEDM '95., International. :885-888 1995

Relation: Proceedings of International Electron Devices Meeting

المؤلفون: Hsing-Huang Tseng, Tobin, P.J., Baker, F.K., Pfiester, J.R., Evans, K., Fejes, P.L.

المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 39(7):1687-1693 Jul, 1992

المؤلفون: Goronkin, H., Tehrani, S., Remmel, T., Fejes, P.L., Johnston, K.J.

المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 36(2):281-288 Feb, 1989

المؤلفون: Liaw, H.M ^*, Doyle, R, Fejes, P.L, Zollner, S, Konkar, A, Linthicum, K.J, Gehrke, T, Davis, R.F

المصدر: In Solid State Electronics 2000 44(4):747-755

المؤلفون: Liaw, H.M ^*, Venugopal, R, Wan, J, Doyle, R, Fejes, P.L, Melloch, M.R

المصدر: In Solid State Electronics 2000 44(4):685-690

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.