يعرض 1 - 7 نتائج من 7 نتيجة بحث عن '"Fornasier, Mirko"', وقت الاستعلام: 1.15s تنقيح النتائج
  1. 1
    مؤتمر
    Deep Level Effects in N-Polar AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors: Toward Zero Dispersion Effects

    المؤلفون: Saro, Marco, de Pieri, Francesco, Carlotto, Andrea, Fornasier, Mirko, Rampazzo, Fabiana, De Santi, Carlo, Meneghesso, Gaudenzio, Meneghini, Matteo, Zanoni, Enrico, Bisi, Davide, Guidry, Matthew, Keller, Stacia, Mishra, Umesh

    المصدر: 2024 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2024 IEEE. :5B.2-1-5B.2-8 Apr, 2024

    Relation: 2024 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    مؤتمر
    Thermally-activated failure mechanisms of 0.25 \ \mu \mathrm{m}$ RF AIGaN/GaN HEMTs submitted to long-term life tests

    المؤلفون: Gao, Zhan, Chiocchetta, Francesca, Rampazzo, Fabiana, De Santi, Carlo, Fornasier, Mirko, Meneghesso, Gaudenzio, Meneghini, Matteo, Zanoni, Enrico

    المصدر: 2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) Reliability Physics Symposium (IRPS), 2023 IEEE International. :1-5 Mar, 2023

    Relation: 2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View this record from ISI Web of Science
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View this record from ISI Web of Science
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View this record from ISI Web of Science
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية
    Microwave and Millimeter-Wave GaN HEMTs: Impact of Epitaxial Structure on Short-Channel Effects, Electron Trapping, and Reliability

    المؤلفون: Zanoni, Enrico, De Santi, Carlo, Gao, Zhan, Buffolo, Matteo, Fornasier, Mirko, Saro, Marco, De Pieri, Francesco, Rampazzo, Fabiana, Meneghesso, Gaudenzio, Meneghini, Matteo, Zagni, Nicolo, Chini, Alessandro, Verzellesi, Giovanni

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices; 2024, Vol. 71 Issue: 3 p1396-1407, 12p

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية
    Dynamic Behavior of Threshold Voltage and ID–VDS Kink in AlGaN/GaN HEMTs Due to Poole–Frenkel Effect

    المؤلفون: Gao, Zhan, De Santi, Carlo, Rampazzo, Fabiana, Saro, Marco, Fornasier, Mirko, Meneghesso, Gaudenzio, Meneghini, Matteo, Chini, Alessandro, Verzellesi, Giovanni, Zanoni, Enrico

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices; December 2023, Vol. 70 Issue: 12 p6256-6261, 6p

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء