المؤلفون: Sanaee, Z., Mohajerzadeh, S., Zand, K., Gard, F. S., Pajouhi, H.

المصدر: 2009 International Semiconductor Device Research Symposium Semiconductor Device Research Symposium, 2009. ISDRS '09. International. :1-2 Dec, 2009

Relation: 2009 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS)

المؤلفون: Gard, F. S.^Aff1, Santos, D. M., Daizo, M. B.^{Aff2, Aff3}, Freire, E.^{Aff1, Aff4, Aff5}, Reinoso, M.^{Aff1, Aff4, Aff5}, Halac, E. B.^{Aff1, Aff5}

المصدر: Applied Physics A: Materials Science & Processing. 126(3)

المؤلفون: Gard, F. S., Riley, J. D., Prince, K.

المصدر: Scopus-Elsevier

مصطلحات موضوعية: SIMS, MBE, GaAs, ZnSe, polycyclic compounds

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::37a47c6401cdc6b3f1d58f7392c5136a
http://www.worldscinet.com/cgi-bin/details.cgi?type=pdf&id=pii:S0218625X0600813X

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

المؤلفون: Sellai, A., Mamor, M., Gard, F. S., Bouziane, K., Al-Harthi, S., Al-Busaidi, M.

المصدر: AIP Conference Proceedings; 2007, Vol. 909 Issue 1, p112-117, 6p, 1 Chart, 1 Graph

مصطلحات موضوعية: INHOMOGENEOUS materials, DIODES, GAS tubes, SILICON diodes, ANALYSIS of variance

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

المؤلفون: Gard, F. S., Riley, J. D., Leckey, R., Usher, B. F.

المصدر: Surface Review & Letters; Aug2003, Vol. 10 Issue 4, p669, 7p

مصطلحات موضوعية: GALLIUM arsenide, REFLECTION high energy electron diffraction, MOLECULAR beam epitaxy, CRYSTAL growth

المؤلفون: McConville, C. F., Al-Harthi, S. H., Dowsett, M. G., Gard, F. S., Ormsby, T. J., Guzman, B., Noakes, T. C. Q., Bailey, P.

المصدر: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 2002, Vol. 20 Issue 4, p1690-1698, 9p