المؤلفون: Ebiko, Y., Suzuki, K., Sasaki, N.

المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 52(3):429-432 Mar, 2005

المؤلفون: Xingshi Yu, Xia Chen, Milan M. Milosevic, Weihong Shen, Rob Topley, Bigeng Chen, Xingzhao Yan, Wei Cao, David J. Thomson, Shinichi Saito, Anna C. Peacock, Otto L. Muskens, Graham T. Reed

المصدر: Micromachines, Vol 13, Iss 2, p 291 (2022)

مصطلحات موضوعية: silicon photonics, optical waveguide, Ge ion implantation, annealing, wafer-scale testing, post-fabrication trimming, Mechanical engineering and machinery, TJ1-1570

وصف الملف: electronic resource

Relation: https://www.mdpi.com/2072-666X/13/2/291; https://doaj.org/toc/2072-666X

URL الوصول: https://doaj.org/article/3146429ca50f41d6be7653cb200015b6

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

المؤلفون: Doka Yamigno, Serge

مصطلحات موضوعية: 500 Naturwissenschaften und Mathematik::530 Physik::530 Physik, CCSVT, Ge- ion implantation, CuGaSe2

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::051a0fccae6563000b5d87599690d55a
https://refubium.fu-berlin.de/handle/fub188/2348

المؤلفون: Kachurin, G. A., Rebohle, L., Tyschenko, I. E., Volodin, V. A., Voelskow, M., Skorupa, W., Fröb, H.

المصدر: Semiconductors 34(2000)1, 21-26
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov 34(2000)1, 23-27

مصطلحات موضوعية: SiO2, ge ion implantation, photoluminescence, annealing

وصف الملف: application/pdf

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::12f1a57ef12152a062f5c1d36e88105c
https://www.hzdr.de/publications/Publ-12622-2

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.