يعرض 1 - 10 نتائج من 421 نتيجة بحث عن '"Gordon, R. G."', وقت الاستعلام: 1.09s تنقيح النتائج
  1. 1
    مؤتمر
    InAlN/GaN MOSHEMTs with high drain current of 2.3 A/mm high on/off ratio of 1012 and low SS of 64 mV/dec enabled by atomic-layer-epitaxial MgCaO as gate dielectric

    المؤلفون: Zhou, Hong, Lou, Xiabing, Wu, Heng, Alghamdi, Sami, Guo, Shiping, Gordon, R. G., Ye, Peide D.

    المصدر: 2015 73rd Annual Device Research Conference (DRC) Device Research Conference (DRC), 2015 73rd Annual. :57-58 Jun, 2015

    Relation: 2015 73rd Annual Device Research Conference (DRC)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    تقرير
    Torque magnetometry of an amorphous-alumina/strontium-titanate interface

    المؤلفون: Tomarken, S. L., Young, A. F., Lee, S. W., Gordon, R. G., Ashoori, R. C.

    المصدر: Phys. Rev. B 90, 201113 (2014)

    مصطلحات موضوعية: Condensed Matter - Strongly Correlated Electrons, Condensed Matter - Materials Science

    URL الوصول: http://arxiv.org/abs/1409.3194

    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Variability Improvement by Interface Passivation and EOT Scaling of InGaAs Nanowire MOSFETs

    المؤلفون: Gu, J. J., Wang, X., Wu, H., Gordon, R. G., Ye, P. D.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 34(5):608-610 May, 2013

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    GaAs Enhancement-Mode NMOSFETs Enabled by Atomic Layer Epitaxial $\hbox{La}_{1.8}\hbox{Y}_{0.2}\hbox{O}_{3}$ as Dielectric

    المؤلفون: Dong, L., Wang, X. W., Zhang, J. Y., Li, X. F., Gordon, R. G., Ye, P. D.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 34(4):487-489 Apr, 2013

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    مؤتمر
    InGaAs 3D MOSFETs with drastically different shapes formed by anisotropic wet etching

    المؤلفون: Zhang, J., Si, M., Lou, X. B., Wu, W., Gordon, R. G., Ye, P. D.

    المصدر: 2015 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) Electron Devices Meeting (IEDM), 2015 IEEE International. :15.2.1-15.2.4 Dec, 2015

    Relation: 2015 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    مؤتمر
    InAs gate-all-around nanowire MOSFETs by top-down approach

    المؤلفون: Wu, H., Lou, X. B., Si, M., Zhang, J. Y., Gordon, R. G., Tokranov, V., Oktyabrsky, S., Ye, P. D.

    المصدر: 72nd Device Research Conference Device Research Conference (DRC), 2014 72nd Annual. :213-214 Jun, 2014

    Relation: 2014 72nd Annual Device Research Conference (DRC)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    تقرير
    Evidence for hydrogen two-level systems in atomic layer deposition oxides

    المؤلفون: Khalil, M. S., Stoutimore, M. J. A., Gladchenko, S., Holder, A. M., Musgrave, C. B., Kozen, A. C., Rubloff, G., Liu, Y. Q., Gordon, R. G., Yum, J. H., Banerjee, S. K., Lobb, C. J., Osborn, K. D.

    المصدر: Appl. Phys. Lett. 103, 162601 (2013)

    مصطلحات موضوعية: Condensed Matter - Materials Science, Condensed Matter - Superconductivity

    URL الوصول: http://arxiv.org/abs/1307.7664

    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية
    Size-Dependent-Transport Study of $\hbox{In}_{0.53} \hbox{Ga}_{0.47}\hbox{As}$ Gate-All-Around Nanowire MOSFETs: Impact of Quantum Confinement and Volume Inversion

    المؤلفون: Gu, J. J., Wu, H., Liu, Y., Neal, A. T., Gordon, R. G., Ye, P. D.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 33(7):967-969 Jul, 2012

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    تقرير
    20-80nm Channel Length InGaAs Gate-all-around Nanowire MOSFETs with EOT=1.2nm and Lowest SS=63mV/dec

    المؤلفون: Gu, J. J., Wang, X. W., Wu, H., Shao, J., Neal, A. T., Manfra, M. J., Gordon, R. G., Ye, P. D.

    المصدر: IEDM Tech. Dig. pp. 633, 2012

    مصطلحات موضوعية: Condensed Matter - Mesoscale and Nanoscale Physics, Condensed Matter - Materials Science

    URL الوصول: http://arxiv.org/abs/1212.4227

    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    تقرير
    III-V Gate-all-around Nanowire MOSFET Process Technology: From 3D to 4D

    المؤلفون: Gu, J. J., Wang, X. W., Shao, J., Neal, A. T., Manfra, M. J., Gordon, R. G., Ye, P. D.

    المصدر: IEDM Tech. Dig. pp. 529, 2012

    مصطلحات موضوعية: Condensed Matter - Mesoscale and Nanoscale Physics, Condensed Matter - Materials Science

    URL الوصول: http://arxiv.org/abs/1212.4225

    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء