يعرض 1 - 10 نتائج من 74 نتيجة بحث عن '"Gudem, P.S."', وقت الاستعلام: 0.89s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    On the Existence of Negative Capacitance: Examining Ferroelectric-Dielectric Stack Experiments Using the NLS and LK Models

    المؤلفون: Cam, T., Byers, J., Wang, J.K., VanEssen, C., Gudem, P.S., Kienle, D., Vaidyanathan, M.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 70(7):3542-3550 Jul, 2023

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    Potential Enhancement of fT and gₘfT/ID via the Use of NCFETs to Mitigate the Impact of Extrinsic Parasitics

    المؤلفون: Wang, J.K., VanEssen, C., Cam, T., Ferrer, K., Yuan, Z.C., Gudem, P.S., Kienle, D., Vaidyanathan, M.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 69(8):4153-4161 Aug, 2022

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Feedback Stabilization of a Negative-Capacitance Ferroelectric and its Application to Improve the fT of a MOSFET

    المؤلفون: Yuan, Z.C., Gudem, P.S., Aggarwal, A., VanEssen, C., Kienle, D., Vaidyanathan, M.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 68(10):5101-5107 Oct, 2021

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Expressions for the Harmonic Transfer Functions of N-Path Filters With Arbitrary Source and Load Impedances

    المؤلفون: Rizwan, S., Gudem, P.S., Holland, K., Kienle, D., Vaidyanathan, M.

    المصدر: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs IEEE Trans. Circuits Syst. II Circuits and Systems II: Express Briefs, IEEE Transactions on. 68(3):903-907 Mar, 2021

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Sustained Benefits of NCFETs Under Extreme Scaling to the End of the IRDS

    المؤلفون: Cam, T., Wang, J.K., Wong, M., Holland, K.D., Gudem, P.S., Kienle, D., Vaidyanathan, M.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 67(9):3843-3851 Sep, 2020

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    RF Performance Projections of Negative-Capacitance FETs: fT, fmax, and gmfT/ID

    المؤلفون: Wang, J.K., Gudem, P.S., Cam, T., Yuan, Z.C., Wong, M., Holland, K.D., Kienle, D., Vaidyanathan, M.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 67(8):3442-3450 Aug, 2020

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    Toward Microwave S- and X-Parameter Approaches for the Characterization of Ferroelectrics for Applications in FeFETs and NCFETs

    المؤلفون: Yuan, Z.C., Gudem, P.S., Wong, M., Wang, J.K., Hook, T.B., Solomon, P., Kienle, D., Vaidyanathan, M.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 66(4):2028-2035 Apr, 2019

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية
    Channel Material Dependence of Wave Function Deformation Scattering in Ultrascaled FinFETs

    المؤلفون: Wong, M., Holland, K.D., Wang, J.K., Cam, T., Hook, T.B., Kienle, D., Gudem, P.S., Vaidyanathan, M.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 64(12):5107-5113 Dec, 2017

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية
    Impact of Short-Wavelength and Long-Wavelength Line-Edge Roughness on the Variability of Ultrascaled FinFETs

    المؤلفون: Wong, M., Holland, K.D., Anderson, S., Rizwan, S., Yuan, Z.C.J., Hook, T.B., Kienle, D., Gudem, P.S., Vaidyanathan, M.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 64(3):1231-1238 Mar, 2017

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية
    Switching-Speed Limitations of Ferroelectric Negative-Capacitance FETs

    المؤلفون: Yuan, Z.C., Rizwan, S., Wong, M., Holland, K., Anderson, S., Hook, T.B., Kienle, D., Gadelrab, S., Gudem, P.S., Vaidyanathan, M.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 63(10):4046-4052 Oct, 2016

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء