يعرض 1 - 10 نتائج من 22 نتيجة بحث عن '"Hackbarth, Th."', وقت الاستعلام: 1.09s تنقيح النتائج
  1. 1
    مؤتمر
    High performance 100 nm T-gate strained Si/Si/sub 0.6/Ge/sub 0.4/ n-MODFET

    المؤلفون: Aniel, F., Enciso-Aguilar, M., Giguerre, L., Crozat, P., Adde, R., Mack, T., Seiler, U., Hackbarth, Th., Raynor, B.

    المصدر: 2001 International Semiconductor Device Research Symposium. Symposium Proceedings (Cat. No.01EX497) Semiconductor device research Semiconductor Device Research Symposium, 2001 International. :482-485 2001

    Relation: 2001 International Semiconductor Device Research Symposium. Symposium Proceedings

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    كتاب إلكتروني
    MBE-Regrowth for Monolithic Integration of GaAs-Based Field-Effect Transistors and Schottky Diodes

    المؤلفون: Hackbarth, TH.Aff4, Muessig, H.Aff4, Jonsson, G.Aff4, Brugger, H.Aff4

    المساهمون: Eberl, Karl, editorAff1, Petroff, Pierre M., editorAff2, Demeester, Piet, editorAff3

    المصدر: Low Dimensional Structures Prepared by Epitaxial Growth or Regrowth on Patterned Substrates. 298:345-355

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Strain relaxation of pseudomorphic Si1−xGex/Si(1 0 0) heterostructures by Si+ ion implantation

    المؤلفون: Holländer, B., Buca, D., Lenk, St., Mantl, S., Herzog, H.-J., Hackbarth, Th., Loo, R., Caymax, M., Mörschbächer, M.J., Fichtner, P.F.P.

    المصدر: In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B January 2006 242(1-2):568-571

    View record from ScienceDirect Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Strain relaxation induced by He-implantation at the Si 1− xGe x/Si(100) interface investigated by positron annihilation

    المؤلفون: Liszkay, L, Kajcsos, Zs, Barthe, M.-F, Desgardin, P, Hackbarth, Th, Herzog, H.-J, Holländer, B, Mantl, S

    المصدر: In Applied Surface Science 2002 194(1):136-139

    View record from ScienceDirect Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Strain Relaxation of He+ Implanted, Pseudomorphic Si1−xGex Layers on Si(100)

    المؤلفون: Holländer, B., Mantl, S., Lenk, St., Trinkaus, H., Kirch, D., Luysberg, M., Hackbarth, Th., Herzog, H. J., Fichtner, P. F. P.

    المصدر: MRS Online Proceedings Library. 696(1)

    Find this article in full text from Springer Verlag.
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    Strain relaxation of pseudomorphic Si1-xGex/Si(100) heterostructures after Si+ ion implantation.

    المؤلفون: Holländer, B., Buca, D., Mörschbächer, M., Lenk, St, Mantl, S., Herzog, H.-J., Hackbarth, Th, Loo, R., Caymax, M., Fichtner, P. F. P.

    المصدر: Journal of Applied Physics; 8/1/2004, Vol. 96 Issue 3, p1745-1747, 3p, 2 Black and White Photographs, 2 Graphs

    مصطلحات موضوعية: STRAINS & stresses (Mechanics), PSEUDOMORPHS, HETEROSTRUCTURES, SILICON compounds, IONS, PHYSICS

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    مؤتمر
    Strain Relaxation of He+ Implanted, Pseudomorphic Si1−xGex Layers on Si(100).

    المؤلفون: Holländer, B., Mantl, S., Lenk, St., Trinkaus, H., Kirch, D., Luysberg, M., Hackbarth, Th., Herzog, H. J., Fichtner, P. F. P.

    المصدر: MRS Online Proceedings Library; 2001, Vol. 696 Issue 1, p1-6, 6p

    Find this article in full text from Springer Verlag.
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    مؤتمر
    High performance 100 nm T-gate strained Si/Si0.6Ge0.4 n-MODFET.

    المؤلفون: Aniel, F., Enciso-Aguilar, M., Giguerre, L., Crozat, P., Adde, R., Mack, T., Seiler, U., Hackbarth, Th., Raynor, B.

    المصدر: 2001 International Semiconductor Device Research Symposium. Symposium Proceedings (Cat. No.01EX497); 2001, p482-485, 4p

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية
    Optically controlled GaAs/AlAs multiple quantum well modulators employing integrated dielectric reflectors.

    المؤلفون: Kowalsky, W., Hackbarth, Th., Ebeling, K. J.

    المصدر: Applied Physics Letters; 6/6/1988, Vol. 52 Issue 23, p1933, 3p

    مصطلحات موضوعية: GALLIUM arsenide, ALUMINUM, QUANTUM wells

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية

    لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.

    View record in Scopus
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء