المؤلفون: Eom, S., Kong, M., Cha, H., Seo, K.

المصدر: IEEE Journal of the Electron Devices Society IEEE J. Electron Devices Soc. Electron Devices Society, IEEE Journal of the. 7:908-913 2019

المؤلفون: Mirosław Puźniak, Wojciech Gajewski, Aleksandra Seweryn, Marcin T. Klepka, Bartłomiej S. Witkowski, Marek Godlewski, Robert Mroczyński

المصدر: Materials, Vol 16, Iss 6, p 2539 (2023)

مصطلحات موضوعية: HfOxNy, MOS, HiPIMS, reactive magnetron sputtering, thermal stability, electrical parameters, Technology, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971, Engineering (General). Civil engineering (General), TA1-2040, Microscopy, QH201-278.5, Descriptive and experimental mechanics, QC120-168.85

وصف الملف: electronic resource

Relation: https://www.mdpi.com/1996-1944/16/6/2539; https://doaj.org/toc/1996-1944

URL الوصول: https://doaj.org/article/ad98c15c52d64218958d4916e6c89fa2

المؤلفون: Duan, H. G., Xie, E. Q., Ye, F., Jiang, R.

المصدر: 2007 International Workshop on Electron Devices and Semiconductor Technology (EDST) Electron Devices and Semiconductor Technology, 2007. EDST 2007. Proceeding of 2007 International Workshop on. :137-140 Jun, 2007

Relation: 2007 International Workshop on Electron Devices and Semiconductor Technology

المؤلفون: Su-Keun Eom, Min-Woo Kong, Ho-Young Cha, Kwang-Seok Seo

المصدر: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 7, Pp 908-913 (2019)

مصطلحات موضوعية: Indium gallium arsenide (InGaAs), III-V MOSFET, high-k gate dielectric, hafnium oxynitride (HfOxNy), PBTI reliability, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971

وصف الملف: electronic resource

Relation: https://ieeexplore.ieee.org/document/8796336/; https://doaj.org/toc/2168-6734

URL الوصول: https://doaj.org/article/1b17cb81520249888a5fb22e0cd600fb

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

المؤلفون: Ho-Young Cha, Su-Keun Eom, Min-Woo Kong, Kwang-Seok Seo

المصدر: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 7, Pp 908-913 (2019)

مصطلحات موضوعية: Materials science, Passivation, 02 engineering and technology, Dielectric, 01 natural sciences, chemistry.chemical_compound, 0103 physical sciences, MOSFET, hafnium oxynitride (HfOxNy), Electrical and Electronic Engineering, PBTI reliability, Deposition (law), 010302 applied physics, business.industry, III-V MOSFET, Overdrive voltage, 021001 nanoscience & nanotechnology, Electronic, Optical and Magnetic Materials, chemistry, high-k gate dielectric, Logic gate, Indium gallium arsenide (InGaAs), Optoelectronics, lcsh:Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, 0210 nano-technology, business, Layer (electronics), lcsh:TK1-9971, Indium gallium arsenide, Biotechnology

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::beb5a61bded58296d48824ed2087dcb3
https://ieeexplore.ieee.org/document/8796336/

المؤلفون: Zhang, Tong

مصطلحات موضوعية: AlGaN/GaN, HFETs, HfOxNy, NiO

وصف الملف: application/pdf

URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::3de42fbc806dbbe55107a79c1fcf219f
http://repo.lib.tokushima-u.ac.jp/111761

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.

لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.