يعرض 1 - 10 نتائج من 47 نتيجة بحث عن '"Hoe, K. M."', وقت الاستعلام: 1.55s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    Demonstration of Schottky Barrier NMOS Transistors With Erbium Silicided Source/Drain and Silicon Nanowire Channel

    المؤلفون: Tan, E. J., Pey, K.-L., Singh, N., Lo, G.-Q., Chi, D. Z., Chin, Y. K., Hoe, K. M., Cui, G., Lee, P. S.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 29(10):1167-1170 Oct, 2008

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    Strained n-Channel FinFETs Featuring In Situ Doped Silicon–Carbon $(\hbox{Si}_{1 - y}\hbox{C}_{y})$ Source and Drain Stressors With High Carbon Content

    المؤلفون: Liow, T.-Y., Tan, K.-M., Weeks, D., Lee, R. T. P., Zhu, M., Hoe, K.-M., Tung, C.-H., Bauer, M., Spear, J., Thomas, S. G., Samudra, G. S., Balasubramanian, N., Yeo, Y.-C.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 55(9):2475-2483 Sep, 2008

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Ge-Rich (70%) SiGe Nanowire MOSFET Fabricated Using Pattern-Dependent Ge-Condensation Technique

    المؤلفون: Jiang, Y., Singh, N., Liow, T. Y., Loh, W. Y., Balakumar, S., Hoe, K. M., Tung, C. H., Bliznetsov, V., Rustagi, S. C., Lo, G. Q., Chan, D. S. H., Kwong, D. L.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 29(6):595-598 Jun, 2008

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Silicon–Carbon Stressors With High Substitutional Carbon Concentration and In Situ Doping Formed in Source/Drain Extensions of n-Channel Transistors

    المؤلفون: Wong, H.-S., Ang, K.-W., Chan, L., Hoe, K.-M., Tung, C.-H., Balasubramanian, N., Weeks, D., Bauer, M., Spear, J., Thomas, S. G., Samudra, G., Yeo, Y.-C.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 29(5):460-463 May, 2008

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Nickel-Silicide:Carbon Contact Technology for N-Channel MOSFETs With Silicon–Carbon Source/Drain

    المؤلفون: Lee, R. T. P., Yang, L.-T., Liow, T.-Y., Tan, K.-M., Lim, A. E.-J., Ang, K.-W., Lai, D. M. Y., Hoe, K. M., Lo, G. Q., Samudra, G. S., Chi, D. Z., Yeo, Y.-C.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 29(1):89-92 Jan, 2008

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    Strained p-Channel FinFETs With Extended $\Pi$ -Shaped Silicon–Germanium Source and Drain Stressors

    المؤلفون: Tan, K.-M., Liow, T.-Y., Lee, R. T. P., Hoe, K. M., Tung, C.-H., Balasubramanian, N., Samudra, G. S., Yeo, Y.-C.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 28(10):905-908 Oct, 2007

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    A High-Stress Liner Comprising Diamond-Like Carbon (DLC) for Strained p-Channel MOSFET

    المؤلفون: Tan, K.-M., Zhu , M., Fang , W.-W., Yang , M., Liow, T.-Y., Lee, R. T. P., Hoe, K. M., Tung, C.-H., Balasubramanian, N., Samudra, G. S., Yeo , Y.-C.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 29(2):192-194 Feb, 2008

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية
    Spacer Removal Technique for Boosting Strain in n-Channel FinFETs With Silicon-Carbon Source and Drain Stressors

    المؤلفون: Liow, T.-Y., Tan, K.-M., Lee, R. T. P., Zhu, M., Hoe, K.-M., Samudra, G. S., Balasubramanian, N., Yeo, Y.-C.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 29(1):80-82 Jan, 2008

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    مؤتمر
    Ultra-Narrow Silicon Nanowire Gate-All-Around CMOS Devices: Impact of Diameter, Channel-Orientation and Low Temperature on Device Performance

    المؤلفون: Singh, N., Lim, F. Y., Fang, W. W., Rustagi, S. C., Bera, L. K., Agarwal, A., Tung, C. H., Hoe, K. M., Omampuliyur, S. R., Tripathi, D., Adeyeye, A. O., Lo, G. Q., Balasubramanian, N., Kwong, D. L.

    المصدر: 2006 International Electron Devices Meeting Electron Devices Meeting, 2006. IEDM '06. International. :1-4 Dec, 2006

    Relation: 2006 International Electron Devices Meeting

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    مؤتمر
    Three Dimensionally Stacked SiGe Nanowire Array and Gate-All-Around p-MOSFETs

    المؤلفون: Bera, L. K., Nguyen, H. S., Singh, N., Liow, T. Y., Huang, D. X., Hoe, K. M., Tung, C. H., Fang, W. W., Rustagi, S. C., Jiang, Y., Lo, G. Q., Balasubramanian, N., Kwong, D. L.

    المصدر: 2006 International Electron Devices Meeting Electron Devices Meeting, 2006. IEDM '06. International. :1-4 Dec, 2006

    Relation: 2006 International Electron Devices Meeting

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء