يعرض 1 - 10 نتائج من 1,589 نتيجة بحث عن '"Honjo, H."', وقت الاستعلام: 1.03s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    Influence of Iridium Sputtering Conditions on the Magnetic Properties of Co/Pt-Based Iridium-Synthetic Antiferromagnetic Coupling Reference Layer

    المؤلفون: Honjo, H., Naganuma, H., Nishioka, K., Nguyen, T.V.A., Yasuhira, M., Ikeda, S., Endoh, T.

    المصدر: IEEE Transactions on Magnetics IEEE Trans. Magn. Magnetics, IEEE Transactions on. 58(8):1-5 Aug, 2022

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions With Four Anti-Ferromagnetically Coupled Co/Pt Pinning Layers

    المؤلفون: Honjo, H., Nishioka, K., Miura, S., Naganuma, H., Watanabe, T., Noguchi, Y., Nguyen, T.V.A., Yasuhira, M., Ikeda, S., Endoh, T.

    المصدر: IEEE Transactions on Magnetics IEEE Trans. Magn. Magnetics, IEEE Transactions on. 58(2):1-5 Feb, 2022

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    Effect of Magnetic Coupling Between Two CoFeB Layers on Thermal Stability in Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions With MgO/CoFeB/Insertion Layer/CoFeB/MgO Free Layer

    المؤلفون: Nishioka, K., Miura, S., Honjo, H., Naganuma, H., Nguyen, T.V.A., Watanabe, T., Ikeda, S., Endoh, T.

    المصدر: IEEE Transactions on Magnetics IEEE Trans. Magn. Magnetics, IEEE Transactions on. 58(2):1-6 Feb, 2022

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    First Demonstration of 25-nm Quad Interface p-MTJ Device With Low Resistance-Area Product MgO and Ten Years Retention for High Reliable STT-MRAM

    المؤلفون: Nishioka, K., Miura, S., Honjo, H., Inoue, H., Watanabe, T., Nasuno, T., Naganuma, H., Nguyen, T.V.A., Noguchi, Y., Yasuhira, M., Ikeda, S., Endoh, T.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 68(6):2680-2685 Jun, 2021

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Dual-Port SOT-MRAM Achieving 90-MHz Read and 60-MHz Write Operations Under Field-Assistance-Free Condition

    المؤلفون: Natsui, M., Tamakoshi, A., Honjo, H., Watanabe, T., Nasuno, T., Zhang, C., Tanigawa, T., Inoue, H., Niwa, M., Yoshiduka, T., Noguchi, Y., Yasuhira, M., Ma, Y., Shen, H., Fukami, S., Sato, H., Ikeda, S., Ohno, H., Endoh, T., Hanyu, T.

    المصدر: IEEE Journal of Solid-State Circuits IEEE J. Solid-State Circuits Solid-State Circuits, IEEE Journal of. 56(4):1116-1128 Apr, 2021

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    مؤتمر
    25 nm iPMA-type Hexa-MTJ with solder reflow capability and endurance > 107 for eFlash-type MRAM

    المؤلفون: Honjo, H., Nishioka, K., Miura, S., Naganuma, H., Watanabe, T., Nasuno, T., Tanigawa, T., Noguchi, Y., Inoue, H., Yasuhira, M., Ikeda, S., Endoh, T.

    المصدر: 2022 International Electron Devices Meeting (IEDM) Electron Devices Meeting (IEDM), 2022 International. :10.3.1-10.3.4 Dec, 2022

    Relation: 2022 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    40 nm 1T–1MTJ 128 Mb STT-MRAM With Novel Averaged Reference Voltage Generator Based on Detailed Analysis of Scaled-Down Memory Cell Array Design

    المؤلفون: Koike, H., Tanigawa, T., Watanabe, T., Nasuno, T., Noguchi, Y., Yasuhira, M., Yoshiduka, T., Ma, Y., Honjo, H., Nishioka, K., Miura, S., Inoue, H., Ikeda, S., Endoh, T.

    المصدر: IEEE Transactions on Magnetics IEEE Trans. Magn. Magnetics, IEEE Transactions on. 57(3):1-9 Mar, 2021

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية
    Structural Analysis of CoFeB/MgO-Based Perpendicular MTJs With Junction Size of 20 nm by STEM Tomography

    المؤلفون: Niwa, M., Kimura, K., Naijo, T., Oshurahunov, A., Nagamachi, S., Inoue, H., Honjo, H., Ikeda, S., Endoh, T.

    المصدر: IEEE Transactions on Magnetics IEEE Trans. Magn. Magnetics, IEEE Transactions on. 57(2):1-7 Feb, 2021

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية
    Scalability of Quad Interface p-MTJ for 1X nm STT-MRAM With 10-ns Low Power Write Operation, 10 Years Retention and Endurance > 10¹¹

    المؤلفون: Miura, S., Nishioka, K., Naganuma, H., Nguyen, T.V.A., Honjo, H., Ikeda, S., Watanabe, T., Inoue, H., Niwa, M., Tanigawa, T., Noguchi, Y., Yoshizuka, T., Yasuhira, M., Endoh, T.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 67(12):5368-5373 Dec, 2020

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية
    Influence of Hard Mask Materials on the Magnetic Properties of Perpendicular MTJs With Double CoFeB/MgO Interface

    المؤلفون: Honjo, H., Niwa, M., Nishioka, K., Nguyen, T.V.A., Naganuma, H., Endo, Y., Yasuhira, M., Ikeda, S., Endoh, T.

    المصدر: IEEE Transactions on Magnetics IEEE Trans. Magn. Magnetics, IEEE Transactions on. 56(8):1-4 Aug, 2020

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء