يعرض 1 - 10 نتائج من 1,091 نتيجة بحث عن '"Hsieh, D"', وقت الاستعلام: 1.63s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    Highly Scaled BEOL-Compatible Thin Film Transistors With Ultrathin Atomic Layer Deposited Indium–Tin–Zinc–Oxide Channel

    المؤلفون: Liang, Y., Zheng, J., Lin, Y., Lu, Y., Hsieh, D., Chou, T., Kei, C., Huang, H., Tseng, Y., Chao, T., Chang, E.Y., Toprasertpong, K., Takagi, S., Lin, C.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 71(6):3671-3677 Jun, 2024

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    Large Memory Window Antifuse HfO₂-Based One-Resistor and One-OTP NVMs Featuring Excellent Disturbance Tolerance and Robust 200 °C Retention

    المؤلفون: Hsieh, D., Ni, J., Yeh, W., Hong, Z., Luo, H., Hsu, M., Cho, T., Chao, T.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 71(4):2824-2829 Apr, 2024

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    تقرير
    Dynamic magnetic phase transition induced by parametric magnon pumping

    المؤلفون: Shan, Jun-Yi, Curtis, Jonathan B., Guo, Mingyao, Roh, Chang Jae, Rotundu, C. R., Lee, Young S., Narang, Prineha, Noh, Tae Won, Demler, Eugene, Hsieh, D.

    مصطلحات موضوعية: Condensed Matter - Strongly Correlated Electrons, Condensed Matter - Mesoscale and Nanoscale Physics

    URL الوصول: http://arxiv.org/abs/2402.09521

    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Highly Stable Short Channel Ultrathin Atomic Layer Deposited Indium Zinc Oxide Thin Film Transistors With Excellent Electrical Characteristics

    المؤلفون: Liang, Y., Li, W., Zheng, J., Lin, Y., Lu, Y., Chiu, C., Hsieh, D., Chou, T., Kei, C., Huang, H., Tseng, Y., Chao, T., Chang, E.Y., Lin, C.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 44(10):1644-1647 Oct, 2023

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    تقرير
    A coherent phonon-induced hidden quadrupolar ordered state in Ca$_2$RuO$_4$

    المؤلفون: Ning, H., Mehio, O., Li, X., Buchhold, M., Driesse, M., Zhao, H., Cao, G., Hsieh, D.

    المصدر: Nature Communications 14, 8258 (2023)

    مصطلحات موضوعية: Condensed Matter - Strongly Correlated Electrons

    URL الوصول: http://arxiv.org/abs/2312.09484

    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    Reliability of Multiple-Layer Stacked Gate-All-Around Poly-Si Nanosheet Channel Ferroelectric HfxZr1-xO2FETs With NH3 Plasma Treatment

    المؤلفون: Hsieh, D., Lee, C., Hong, T., Yeh, W., Chao, T.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 70(7):3915-3920 Jul, 2023

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    تقرير
    Nonlinear and nonreciprocal transport effects in untwinned thin films of ferromagnetic Weyl metal SrRuO$_3$

    المؤلفون: Kar, Uddipta, Lu, Elisha Cho-Hao, Singh, Akhilesh Kr., Reddy, P. V. Sreenivasa, Han, Youngjoon, Li, Xinwei, Cheng, Cheng-Tung, Yang, Song, Lin, Chun-Yen, Cheng, I-Chun, Hsu, Chia-Hung, Hsieh, D., Lee, Wei-Cheng, Guo, Guang-Yu, Lee, Wei-Li

    المصدر: Phys. Rev. X 14, 011022 (2024)

    مصطلحات موضوعية: Condensed Matter - Mesoscale and Nanoscale Physics, Condensed Matter - Materials Science

    URL الوصول: http://arxiv.org/abs/2307.04482

    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية
    Role of Nitrogen in Ferroelectricity of HfxZr1-xO2-Based Capacitors With Metal-Ferroelectric-Insulator-Metal Structure

    المؤلفون: Hsieh, D., Lee, C., Chao, T.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 69(4):2074-2079 Apr, 2022

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية
    Hysteresis-Free Gate-All-Around Stacked Poly-Si Nanosheet Channel Ferroelectric HfxZr1-xO2 Negative Capacitance FETs With Internal Metal Gate and NH3 Plasma Nitridation

    المؤلفون: Lee, C., Hsieh, D., Li, S., Kuo, Y., Chao, T.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 69(3):1512-1518 Mar, 2022

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    تقرير
    A light-induced Weyl semiconductor-to-metal transition mediated by Peierls instability

    المؤلفون: Ning, H., Mehio, O., Lian, C., Li, X., Zoghlin, E., Zhou, P., Cheng, B., Wilson, S. D., Wong, B. M., Hsieh, D.

    المصدر: Phys. Rev. B 106, 205118 (2022)

    مصطلحات موضوعية: Condensed Matter - Strongly Correlated Electrons, Condensed Matter - Mesoscale and Nanoscale Physics, Condensed Matter - Materials Science

    URL الوصول: http://arxiv.org/abs/2211.01501

    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء