يعرض 1 - 10 نتائج من 105 نتيجة بحث عن '"Hsieh, E.R."', وقت الاستعلام: 0.96s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    A Nonvolatile Ternary-Content-Addressable- Memory Comprising Resistive-Gate Field-Effect Transistors

    المؤلفون: Hsieh, E.R., Hsueh, Y.L., Lin, R.Q., Huang, Y.X., Hou, P.J., Chang, K.H., Shen, T.H., Li, Y.H., Lyu, R.Y.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 44(8):1292-1295 Aug, 2023

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    1-Transistor 1-Source/Channel/Drain-Diode (1T1D) One-Time-Programmable Memory in 14-nm FinFET

    المؤلفون: Hsieh, E.R., Luo, Y.M., Huang, Y.X., Su, H.S., Lin, R.Q., Lin, Y., Chang, K.H., Shen, T.H., Liu, C.H.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 44(3):404-407 Mar, 2023

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    دورية أكاديمية
    A Logic Fully Comparable Single-Supply Capacitor-Less 1-FinFET-1-Source-Channel-Drain-Diode (1T1D) Embedded DRAM MACRO in 16-nm FinFET

    المؤلفون: Hsieh, E.R., Huang, C.F., Huang, S.Y., Miu, M.L., Lu, S.M., Wu, Y.S., Ye, Y.H.

    المصدر: IEEE Solid-State Circuits Letters IEEE Solid-State Circuits Lett. Solid-State Circuits Letters, IEEE. 6:249-252 2023

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    Emulator of Gene Mutation: Interfering True Random Number Generators Using Resistive-Gate Non-Volatile-Memories

    المؤلفون: Hsieh, E.R., Huang, P.H., Miu, M.L., Huang, S.Y., Lu, S.M., Lyu, R.Y.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 43(11):1870-1873 Nov, 2022

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Positive-Bias-Temperature-Instability Induced Random-Trap-Fluctuation Enhanced Physical Unclonable Functions on 14-nm nFinFETs

    المؤلفون: Hsieh, E.R., Wang, Z.Y., Ye, Y.H., Wu, Y.S., Huang, C.F., Huang, P.S., Huang, Y.S., Miu, M.L., Su, H.S., Huang, S.Y., Lu, S.M.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 43(9):1396-1399 Sep, 2022

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    Cryogenic Quasi-Ballistic Transport Enhanced by Strained Silicon Technologies in 14-nm Complementary Fin Field Effect Transistors Through Virtual Source Model

    المؤلفون: Hsieh, E.R., Wang, Z.Y., Huang, Y.S., Hung, T.C., Lyu, R.Y., Lee, K.Y.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 69(7):3575-3580 Jul, 2022

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    An Embedded Three-Bit-Per-Cell Two-Transistors and One-Ferroelectric-Capacitance Nonvolatile Memory

    المؤلفون: Hsieh, E.R., Wang, Z.Y., Huang, C.F., Wu, Y.S.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 42(10):1460-1463 Oct, 2021

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية
    RADAR: A Fast and Energy-Efficient Programming Technique for Multiple Bits-Per-Cell RRAM Arrays

    المؤلفون: Le, B.Q., Levy, A., Wu, T.F., Radway, R.M., Hsieh, E.R., Zheng, X., Nelson, M., Raina, P., Wong, H.P., Wong, S., Mitra, S.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 68(9):4397-4403 Sep, 2021

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية
    A FORMing-Free HfO2-/HfON-Based Resistive-Gate Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect-Transistor (RG-MOSFET) Nonvolatile Memory With 3-Bit-Per-Cell Storage Capability

    المؤلفون: Hsieh, E.R., Chen, K.T., Chen, P.Y., Wong, S.S., Chung, S.S.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 68(6):2699-2704 Jun, 2021

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية
    Four-Bits-Per-Memory One-Transistor-and-Eight-Resistive-Random-Access-Memory (1T8R) Array

    المؤلفون: Hsieh, E.R., Zheng, X., Le, B.Q., Shih, Y.C., Radway, R.M., Nelson, M., Mitra, S., Wong, S.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 42(3):335-338 Mar, 2021

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء