-
1دورية أكاديمية
المؤلفون: Linfei Gao, Ze Zhong, Qiyan Zhang, Xiaohua Li, Xinbo Xiong, Shaojun Chen, Longkou Chen, Huaibao Yan, Anle Zhang, Jiajun Han, Wenrong Zhuang, Feng Qiu, Hsien-Chin Chiu, Shuangwu Huang, Xinke Liu
المصدر: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 165-169 (2024)
مصطلحات موضوعية: p-GaN HEMT, pulse I-V, positive bias temperature instability (PBTI), threshold voltage, Stability, mechanism, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971
وصف الملف: electronic resource
-
2دورية أكاديمية
المؤلفون: Xinke Liu, Bo Li, Junye Wu, Jian Li, Wen Yue, Renqiang Zhu, Qi Wang, Xiaohua Li, Jianwei Ben, Wei He, Hsien-Chin Chiu, Ke Xu, Ze Zhong
المصدر: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 34-38 (2024)
مصطلحات موضوعية: diodes, slanted sidewall, high breakdown voltage, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971
وصف الملف: electronic resource
-
3دورية أكاديمية
المؤلفون: Wei He, Jian Li, Zeliang Liao, Feng Lin, Junye Wu, Bing Wang, Maojun Wang, Nan Liu, Hsien-Chin Chiu, Hao-Chung Kuo, Xinnan Lin, Jingbo Li, Xinke Liu
المصدر: Nanoscale Research Letters, Vol 17, Iss 1, Pp 1-10 (2022)
مصطلحات موضوعية: Free standing gallium nitride (GaN), Trench MOSFET, GaN MOSFET, Breakdown, TCAD, Materials of engineering and construction. Mechanics of materials, TA401-492
وصف الملف: electronic resource
Relation: https://doaj.org/toc/1556-276X
-
4دورية أكاديمية
المؤلفون: Taofei Pu, Hsiang-Chun Wang, Kuang-Po Hsueh, Hsien-Chin Chiu, Xinke Liu
المصدر: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 10, Pp 318-323 (2022)
مصطلحات موضوعية: AlGaN/GaN, Schottky barrier diode, Si doped, AlGaN barrier layer, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971
وصف الملف: electronic resource
-
5دورية أكاديمية
المؤلفون: Taofei Pu, Usman Younis, Hsien-Chin Chiu, Ke Xu, Hao-Chung Kuo, Xinke Liu
المصدر: Nanoscale Research Letters, Vol 16, Iss 1, Pp 1-14 (2021)
مصطلحات موضوعية: Gallium nitride, Vertical PN junction diode, Electrical field crowding, Edge termination techniques, Materials of engineering and construction. Mechanics of materials, TA401-492
وصف الملف: electronic resource
Relation: https://doaj.org/toc/1556-276X
-
6دورية أكاديمية
المؤلفون: Xinke Liu, Hsien-Chin Chiu, Chia-Hao Liu, Hsuan-Ling Kao, Chao-Wei Chiu, Hsiang-Chun Wang, Jianwei Ben, Wei He, Chong-Rong Huang
المصدر: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 8, Pp 229-234 (2020)
مصطلحات موضوعية: p-GaN gate HEMT, normally-off, high-resistivity GaN, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971
وصف الملف: electronic resource
-
7دورية أكاديمية
المؤلفون: Chun-Bing Chen, Hsuan-Ling Kao, Li-Chun Chang, Yi-Chen Lin, Yung-Yu Chen, Wen-Hung Chung, Hsien-Chin Chiu
المصدر: Micromachines, Vol 13, Iss 9, p 1510 (2022)
مصطلحات موضوعية: inkjet printing, silver film, antenna, wound dressing, Mechanical engineering and machinery, TJ1-1570
وصف الملف: electronic resource
-
8دورية أكاديمية
المؤلفون: Chia-Hao Liu, Chong-Rong Huang, Hsiang-Chun Wang, Yi-Jie Kang, Hsien-Chin Chiu, Hsuan-Ling Kao, Kuo-Hsiung Chu, Hao-Chung Kuo, Chih-Tien Chen, Kuo-Jen Chang
المصدر: Micromachines, Vol 13, Iss 9, p 1554 (2022)
مصطلحات موضوعية: dynamic on-state resistance (Ron), field plate (FP), high-temperature gate bias (HTGB), high-temperature reverse bias (HTRB), normally off operation, off-state breakdown voltage, Mechanical engineering and machinery, TJ1-1570
وصف الملف: electronic resource
-
9دورية أكاديمية
المؤلفون: Hsien-Chin Chiu, Chia-Hao Liu, Yi-Sheng Chang, Hsuan-Ling Kao, Rong Xuan, Chih-Wei Hu, Feng-Tso Chien
المصدر: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 7, Pp 984-989 (2019)
مصطلحات موضوعية: Microwave annealing, normally off, p-GaN gate HEMT, dynamic behavior, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971
وصف الملف: electronic resource
-
10دورية أكاديمية
المؤلفون: Hsiang-Chun Wang, Chia-Hao Liu, Chong-Rong Huang, Hsien-Chin Chiu, Hsuan-Ling Kao, Xinke Liu
المصدر: Micromachines, Vol 13, Iss 5, p 807 (2022)
مصطلحات موضوعية: p-GaN E-mode HEMT, normally-off, dynamic Ron, hole injection, VTH shifting, Mechanical engineering and machinery, TJ1-1570
وصف الملف: electronic resource