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  1. 1
    دورية أكاديمية

    المصدر: IEEE Microwave and Wireless Components Letters IEEE Microw. Wireless Compon. Lett. Microwave and Wireless Components Letters, IEEE. 31(7):881-884 Jul, 2021

  2. 2
    مؤتمر

    المصدر: 1998 28th European Microwave Conference Microwave Conference, 1998. 28th European. 1:433-438 Oct, 1998

    Relation: 1998 28th European Microwave Conference

  3. 3

    المساهمون: Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

    المصدر: Actes des 12èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2001
    Actes des 12èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2001, May 2001, Poitiers, France
    Actes des 12èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2001, 2001, Poitiers, France

    مصطلحات موضوعية: [SPI]Engineering Sciences [physics]

  4. 4

    المساهمون: Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Centre National d'Études Spatiales [Toulouse] (CNES)

    المصدر: 12es Journées Nationales Microondes
    12es Journées Nationales Microondes, 2001, Poitiers, France

  5. 5

    المساهمون: Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

    المصدر: Actes des 12èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2001
    Actes des 12èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2001, 2001, Poitiers, France

  6. 6

    المصدر: Hue, X. ; Rogeaux, E. ; Cazaux, Jean-Louis ; Mallet, A. ; Lapierre, L. ; Boudart, B. ; Bonte, B. ; Crosnier, Y. (2000) 1W/mm GaAs pHEMT for realization of linear power amplifier in the K band. In: Gallium Arsenide applications symposium. GAAS 2000, 2-6 october 2000, Paris.

    مصطلحات موضوعية: ING-INF/01 Elettronica

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  7. 7

    المصدر: Bue, F. ; Gaquière, C. ; Hue, X. ; Boudart, B. ; Crosnier, Y. ; De Jaeger, J.C. ; Carnez, B. ; Pons, D. (2000) Influence of recess and epilayers in the 26 – 40 GHz band HEMT’s intermodulation. In: Gallium Arsenide applications symposium. GAAS 2000, 2-6 october 2000, Paris.

    وصف الملف: application/pdf

  8. 8

    المساهمون: Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

    المصدر: Proceedings of the 8th European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium, GAAS 2000

  9. 9

    المؤلفون: Hue, X., Boudart, B., Crosnier, Y.

    المساهمون: Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

    المصدر: 7es Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique (JNMO)
    7es Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique (JNMO), 1999, Egat, France

  10. 10

    المساهمون: Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)

    المصدر: GAAS 99
    GAAS 99, 1999, Munich, Germany
    Hue, X. ; Boudart, B. ; Bonte, B. ; Crosnier, Y. (1999) High linearity of double channel GaAs pHEMT using a very high selective wet etching. In: Gallium Arsenide Applications Symposium. GAAS 1999, 4-5 October 1999, Bologna, Italy.

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