يعرض 1 - 10 نتائج من 573 نتيجة بحث عن '"Hwang, W.S."', وقت الاستعلام: 0.90s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    Method to Achieve the Morphotropic Phase Boundary in HfxZr1−xO2 by Electric Field Cycling for DRAM Cell Capacitor Applications

    المؤلفون: Kim, S., Lee, S.H., Kim, M.J., Hwang, W.S., Jin, H.S., Cho, B.J.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 42(4):517-520 Apr, 2021

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  2. 2
    دورية أكاديمية
    Programming-Pulse Dependence of Ferroelectric Partial Polarization: Insights From a Comparative Study of PZT and HZO Capacitors

    المؤلفون: Pandey, P., Hwang, W.S., Udayakumar, K.R., Moise, T.S., Seabaugh, A.C.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 67(10):4482-4487 Oct, 2020

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  3. 3
    مؤتمر
    Using Cloud Computing Integrated Architecture to Improve Delivery Committed Rate in Shoemaking Industry

    المؤلفون: Ke, Gang, Chen, Ruey-Shun, Chen, Yeh-Cheng, Xiong, Naixue, Hu, Xuanzi, Hwang, W.S

    المصدر: 2018 9th International Symposium on Parallel Architectures, Algorithms and Programming (PAAP) PAAP Parallel Architectures, Algorithms and Programming (PAAP), 2018 9th International Symposium on. :99-103 Dec, 2018

    Relation: 2018 9th International Symposium on Parallel Architectures, Algorithms and Programming (PAAP)

    أضف إلى المفضلة
  4. 4
    دورية أكاديمية
    H2 High Pressure Annealed Y-Doped ZrO2 Gate Dielectric With an EOT of 0.57 nm for Ge MOSFETs

    المؤلفون: Lee, T.I., Nguyen, M., Ahn, H.J., Kim, M.J., Shin, E.J., Hwang, W.S., Yu, H., Choi, R., Cho, B.J.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 40(9):1350-1353 Sep, 2019

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  5. 5
    دورية أكاديمية
    Ultrathin EOT (0.67 nm) High-k Dielectric on Ge MOSFET Using Y Doped ZrO2 With Record-Low Leakage Current

    المؤلفون: Lee, T.I., Ahn, H.J., Kim, M.J., Shin, E.J., Lee, S.H., Shin, S.W., Hwang, W.S., Yu, H., Cho, B.J.

    المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 40(4):502-505 Apr, 2019

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  6. 6
    دورية أكاديمية
    Fluorine Effects Originating From the CVD-W Process on Charge-Trap Flash Memory Cells

    المؤلفون: Moon, J., Lee, T.Y., Ahn, H.J., Lee, T.I., Hwang, W.S., Cho, B.J.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 66(1):378-382 Jan, 2019

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  7. 7
    دورية أكاديمية
    Performance Degradation of Flexible Si Nanomembrane Transistors With Al2O3 and SiO2 Dielectrics Under Mechanical Stress

    المؤلفون: Kim, S., Bong, J.H., Kim, D.J., Kim, C.S., Choi, H., Hwang, W.S., Cho, B.J.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 65(7):3069-3072 Jul, 2018

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  8. 8
    دورية أكاديمية
    Investigation of Border Trap Characteristics in the AlON/GeO2/Ge Gate Stacks

    المؤلفون: Seo, Y., Kim, C., Lee, T., Hwang, W.S., Yu, H., Choi, Y., Cho, B.J.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 64(10):3998-4001 Oct, 2017

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  9. 9
    دورية أكاديمية
    Fermi Level Depinning in Ti/GeO2/n-Ge via the Interfacial Reaction Between Ti and GeO2

    المؤلفون: Seo, Y., Lee, T.I., Ahn, H.J., Moon, J., Hwang, W.S., Yu, H., Cho, B.J.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 64(10):4242-4245 Oct, 2017

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
  10. 10
    دورية أكاديمية
    The Impact of an Ultrathin Y2O3 Layer on GeO2 Passivation in Ge MOS Gate Stacks

    المؤلفون: Seo, Y., Lee, T.I., Yoon, C.M., Park, B., Hwang, W.S., Kim, H., Yu, H., Cho, B.J.

    المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 64(8):3303-3307 Aug, 2017

    Full Text Finder
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء