-
1دورية أكاديمية
المؤلفون: Myeongsu Chae, Ho-Young Cha, Hyungtak Kim
المصدر: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 581-586 (2024)
مصطلحات موضوعية: p-GaN gate HEMTs, threshold voltage instability, positive bias temperature instability (PBTI), temperature dependence, trapping, de-trapping, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971
وصف الملف: electronic resource
-
2دورية أكاديمية
المؤلفون: Seong-In Cho, Won-Ho Jang, Ho-Young Cha, Hyungtak Kim
المصدر: Journal of Electromagnetic Engineering and Science, Vol 22, Iss 3, Pp 291-295 (2022)
مصطلحات موضوعية: algan/gan hemt, degradation, hot carrier effect, reliability, trap, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971, Electricity and magnetism, QC501-766
وصف الملف: electronic resource
-
3دورية أكاديمية
المؤلفون: Myeongsu Chae, Hyungtak Kim
المصدر: Micromachines, Vol 14, Iss 5, p 977 (2023)
مصطلحات موضوعية: AlGaN/GaN HEMTs, Schottky p-GaN gate, degradation, VTH instability, forward gate voltage stress, two-terminal currents, Mechanical engineering and machinery, TJ1-1570
وصف الملف: electronic resource
-
4دورية أكاديمية
المؤلفون: Van Cuong Nguyen, Ho-Young Cha, Hyungtak Kim
المصدر: Sensors, Vol 23, Iss 7, p 3465 (2023)
مصطلحات موضوعية: hydrogen sensor, gallium nitride, selectivity, palladium catalyst, tungsten trioxide, high electron mobility transistor, Chemical technology, TP1-1185
وصف الملف: electronic resource
-
5دورية أكاديمية
المؤلفون: Kwangeun Kim, Jaewon Jang, Hyungtak Kim
المصدر: Results in Physics, Vol 25, Iss , Pp 104279- (2021)
مصطلحات موضوعية: Negative differential resistance, Si, GaAs, Tunnel junction diode, Nanomembrane transfer, Physics, QC1-999
وصف الملف: electronic resource
-
6دورية أكاديمية
المؤلفون: Chan-Hee Jang, Hyun-Seop Kim, Hyungtak Kim, Ho-Young Cha
المصدر: Materials, Vol 15, Iss 6, p 2097 (2022)
مصطلحات موضوعية: ferroelectric, undoped HfO2, metal-ferroelectric-metal, temperature, frequency, atomic layer deposition, Technology, Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering, TK1-9971, Engineering (General). Civil engineering (General), TA1-2040, Microscopy, QH201-278.5, Descriptive and experimental mechanics, QC120-168.85
وصف الملف: electronic resource
-
7دورية أكاديمية
المؤلفون: Tuan-Anh Vuong, Ho-Young Cha, Hyungtak Kim
المصدر: Micromachines, Vol 12, Iss 5, p 537 (2021)
مصطلحات موضوعية: gallium nitride, hydrogen sensing, two-terminal HEMT, high temperature, harsh environment, gate-recess, Mechanical engineering and machinery, TJ1-1570
وصف الملف: electronic resource
-
8دورية أكاديمية
المؤلفون: Van Cuong Nguyen, Kwangeun Kim, Hyungtak Kim
المصدر: Micromachines, Vol 12, Iss 4, p 400 (2021)
مصطلحات موضوعية: gate bias modulation, palladium catalyst, gallium nitride, nitrogen dioxide gas sensor, high electron mobility transistor, Mechanical engineering and machinery, TJ1-1570
وصف الملف: electronic resource
-
9دورية أكاديمية
المؤلفون: Dongmin Keum, Hyungtak Kim
المصدر: Micromachines, Vol 10, Iss 11, p 723 (2019)
مصطلحات موضوعية: algan/gan, proton irradiation, time-dependent dielectric breakdown (tddb), reliability, normally off, Mechanical engineering and machinery, TJ1-1570
وصف الملف: electronic resource
-
10مؤتمر
المؤلفون: Sungken Lee, Geontae Park, Hyungtak Kim, Jongsun Kim
المصدر: 2012 International SoC Design Conference (ISOCC) SoC Design Conference (ISOCC), 2012 International. :128-130 Nov, 2012
Relation: 2012 International SoC Design Conference (ISOCC 2012)