-
1
المؤلفون: R.O. Jung, Muthumanickam Sankarapandian, Kangguo Cheng, R. Johnson, Miaomiao Wang, Balasubramanian S. Pranatharthi Haran, E. Augendre, Pierre Morin, Bruce B. Doris, Y. Escarabajal, B. Lherron, S. Pilorget, J. L. Bataillon, M. Vinet, Walter Kleemeier, Sean Teehan, J. Kuss, Emmanuel Josse, T. Levin, F. Chafik, Joel Kanyandekwe, Michel Haond, S. Guillaumet, Olivier Weber, D. Chanemougame, R. Sampson, B. Liu, Nicolas Loubet, B. DeSalvo, Tenko Yamashita, L. Grenouillet, Sylvain Maitrejean, Frederic Allibert, Qing Liu, O. Faynot, M. Celik, Rajasekhar Venigalla, Thomas Skotnicki, H. Kothari, Mukesh Khare, Frederic Boeuf, H. He
المصدر: 2014 IEEE International Electron Devices Meeting.
مصطلحات موضوعية: Materials science, CMOS, business.industry, Electrical engineering, Gate length, Optoelectronics, Node (circuits), Substrate (electronics), business, Communication channel
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::db73c4d215e4c2aa824ad16191dbd9f6
https://doi.org/10.1109/iedm.2014.7047014 -
2
المؤلفون: M. Celik, Michel Haond, R. Sampson, S. Kanakasabapathy, Balasubramanian S. Pranatharthi Haran, L. Grenouillet, Scott Luning, T. Skotnicki, Walter Kleemeier, Pierre Morin, Shom Ponoth, S. Guillaumet, Chanemougame Daniel, R. Johnson, J. L. Bataillon, T. Levin, Olivier Weber, Ali Khakifirooz, James Chingwei Li, Romain Wacquez, H. Kothari, Gen Tsutsui, Frederic Allibert, Lisa F. Edge, Kangguo Cheng, Mukesh Khare, Swati Mehta, Nicolas Loubet, Emmanuel Josse, M. Vinet, Huiming Bu, F. Chafik, J. Gimbert, Toshiharu Nagumo, Y. Le Tiec, Qing Liu, Bruce B. Doris, O. Faynot, J. Kuss
المصدر: 2013 IEEE International Electron Devices Meeting.
مصطلحات موضوعية: Materials science, business.industry, Gate length, Silicon on insulator, Optoelectronics, Field-effect transistor, Node (circuits), business, Communication channel
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::53eff7a8ac1cf8b251f5508b9063d701
https://doi.org/10.1109/iedm.2013.6724592 -
3
المؤلفون: E. Augendre, R. Sampson, Yun-Yu Wang, J. L. Bataillon, Kangguo Cheng, Sylvain Maitrejean, L. Grenouillet, C. Janicki, Qing Liu, Pierre Morin, F. Chafik, M. Celik, J. Kuss, O. Faynot, B. Lherron, David K. C. Cooper, D. Chanemougame, Bruce B. Doris, S. Guillaumet, O. Rozeau, Nicolas Loubet, Walter Kleemeier, Romain Wacquez, W. Weng, A. Pofelski, B. De Salvo, Ali Khakifirooz, M. Vinet, J. Gimbert, Y. Le Tiec, F. Bauman, T. Wu, R. Schulz, M. Gribelyuk
المصدر: 2013 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S).
مصطلحات موضوعية: business.industry, Computer science, Low-power electronics, Electrical engineering, Electronic engineering, Silicon on insulator, Field-effect transistor, Node (circuits), Energy consumption, business, Scaling, Scale down
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d2fa8b067a02ee7e6036afa0265886d7
https://doi.org/10.1109/s3s.2013.6716546 -
4دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
5دورية أكاديمية
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
6مؤتمر
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل. -
7مؤتمر
لا يتم عرض هذه النتيجة على الضيوف.
تسجيل الدخول للوصول الكامل.