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1دورية أكاديمية
المؤلفون: S. Iadanza, G. C. R. Devarapu, A. Blake, P. Acosta Alba, J.-M. Pedini, L. O’Faolain
المصدر: Scientific Reports, Vol 12, Iss 1, Pp 1-11 (2022)
وصف الملف: electronic resource
Relation: https://doaj.org/toc/2045-2322
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2
المؤلفون: L. Lachal, C. Plantier, F. Torregrosa, C. Aubert, J. M. Pedini, G. Borvon, M. Coig, F. Milesi, F. Mazen
المصدر: MRS Advances. 7:1390-1394
مصطلحات موضوعية: Mechanics of Materials, Mechanical Engineering, General Materials Science, Condensed Matter Physics
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3
المؤلفون: F. Aussenac, P. Acosta-Alba, V. Beugin, V. Mazzocchi, Xavier Garros, Mikael Casse, Sebastien Kerdiles, C. Vizioz, C. Guerin, N. Rambal, F. Ponthenier, J. Micout, Perrine Batude, Maud Vinet, Bernard Previtali, Francois Andrieu, Claire Fenouillet-Beranger, S. Chevalliez, J-M. Pedini, Laurent Brunet
المصدر: 2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM).
مصطلحات موضوعية: Materials science, Silicon, chemistry, Annealing (metallurgy), Logic gate, Hardware_INTEGRATEDCIRCUITS, Gate stack, Silicon on insulator, chemistry.chemical_element, Hardware_PERFORMANCEANDRELIABILITY, Epitaxy, Engineering physics
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2087db0598ab33110cf86534df124584
https://doi.org/10.1109/edtm.2019.8731192 -
4
المؤلفون: D. Barge, Thibaud Denneulin, C. Le Royer, David Cooper, Jean-Paul Barnes, P. Nguyen, O. Bonnin, J. M. Pedini, Olivier Gourhant, E. Baylac, Walter Schwarzenbach, Yves Campidelli, F. Glowacki, Y. Morand, Jean-Michel Hartmann, Denis Rouchon
المصدر: Solid-State Electronics. 97:82-87
مصطلحات موضوعية: Fabrication, Materials science, business.industry, Silicon on insulator, Insulator (electricity), Condensed Matter Physics, Dark field microscopy, Electronic, Optical and Magnetic Materials, symbols.namesake, Scanning transmission electron microscopy, Materials Chemistry, Electronic engineering, symbols, Optoelectronics, Wafer, Field-effect transistor, Electrical and Electronic Engineering, business, Raman spectroscopy
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5
المؤلفون: C. Plantier, Frederic Boeuf, Maud Vinet, J.M. Hartmann, Michel Haond, Claude Tabone, Anthony Payet, Yves Morand, A. Bonnevialle, J. M. Pedini, Denis Rouchon, Shay Reboh, N. Rambal, C. Le Royer, Alain Claverie
المساهمون: STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Matériaux et dispositifs pour l'Electronique et le Magnétisme (CEMES-MEM), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information (CEA-LETI), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes (UGA), Laboratoire inter-universitaire des systèmes atmosphèriques (LISA), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Paris-Est Créteil Val-de-Marne - Paris 12 (UPEC UP12)-Université Paris Diderot - Paris 7 (UPD7)-Institut national des sciences de l'Univers (INSU - CNRS), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UPS), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
المصدر: physica status solidi (c)
physica status solidi (c), Wiley, 2016, 13 (10-12), pp.740-745. ⟨10.1002/pssc.201600028⟩
physica status solidi (c), 2016, 13 (10-12), pp.740-745. ⟨10.1002/pssc.201600028⟩مصطلحات موضوعية: Silicon nitride, Electron mobility, Silicon, Materials science, Strained silicon, CMOS devices, Recrystallization (metallurgy), Fd-soi devices, Silicon on insulator, Hole mobility, Epitaxy, Process condition, Ultimate tensile strength, FDSOI-strain-tensile stress-STRASS, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, Tensile strain, Silicon alloys, Improve performance, Module integration, [PHYS]Physics [physics], business.industry, Germanium, Condensed Matter Physics, CMOS integrated circuits, Ion implantation, CMOS, Selective epitaxy, Optoelectronics, business, Advanced CMOS
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6
المؤلفون: C. Plantier, Pascal Besson, C. Le Royer, A. Bonnevialle, Michel Haond, Remy Berthelon, M. Vinet, Olivier Weber, M. Casse, S. Reboh, J-M. Pedini, Yves Morand, Alain Claverie, J.M. Hartmann, B. Mathieu, D. Rouchon, Francois Andrieu, Frederic Boeuf, D. Marseilhan, Sebastien Kerdiles, N. Rambal
المساهمون: STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Matériaux et dispositifs pour l'Electronique et le Magnétisme (CEMES-MEM), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)
المصدر: VLSI Technology, 2016 IEEE Symposium on
VLSI Technology, 2016 IEEE Symposium on, 2016, Unknown, Unknown Region. ⟨10.1109/VLSIT.2016.7573406⟩
2016 IEEE Symposium on VLSI Technologyمصطلحات موضوعية: Mobility model, Electron mobility, Materials science, Electrical data, Silicon on insulator, Hole mobility, 02 engineering and technology, VLSI circuits, 01 natural sciences, State of the art, Stress (mechanics), 0103 physical sciences, Electronic engineering, Active regions, 010302 applied physics, Very-large-scale integration, [PHYS]Physics [physics], Strain (chemistry), business.industry, Creep, 021001 nanoscience & nanotechnology, CMOS, Smart solutions, Optoelectronics, Stress profile, Creep process, 0210 nano-technology, business
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f40591e840f3628feb44812ad9fa4d18
https://hal.science/hal-01719489
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7دورية أكاديمية
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8
المؤلفون: A. Roule, Nicolas Bernier, Maud Vinet, C. Plantier, J. M. Pedini, C. Le Royer, L. Grenouillet, Y. Morand, A. Bonnevialle, D. Marseilhan, Claude Tabone, D. Rouchon, Pascal Besson, S. Reboh
المصدر: Extended Abstracts of the 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials.
مصطلحات موضوعية: Materials science, Creep, Strain (chemistry), Silicon on insulator, Wafer, Tensile strain, Composite material
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::89e933226aaffad25a5bab6720dc2bf5
https://doi.org/10.7567/ssdm.2015.n-2-3 -
9
المؤلفون: M. Vinet, J.-M. Pedini, S. Becu, M. Collonge, T. Ernst, Bernard Previtali, M. Ribeiro, Gerard Ghibaudo
المصدر: 2009 International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications.
مصطلحات موضوعية: Materials science, business.industry, Logic gate, Low-power electronics, MOSFET, Gate driver, Nanowire, Electrical engineering, Optoelectronics, Power semiconductor device, Power MOSFET, business, AND gate
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b149078976fadd1e20d405b1a2729ba4
https://doi.org/10.1109/vtsa.2009.5159315 -
10
المؤلفون: Virginie Loup, Claudia Wiemer, Mikael Casse, Christine Morin, S. Minoret, Xavier Garros, Sandrine Lhostis, K. Dabertrand, Michele Perego, Vincent Cosnier, Pascal Besson, L. Vandroux, J-M. Pedini, Marco Fanciulli
المساهمون: Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Clot, Marielle, Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
المصدر: Microelectronic engineering 84 (2007): 1886–1889.
info:cnr-pdr/source/autori:Cosnier, V; Besson, P; Loup, V; Vandroux, L; Minoret, S; Casse, M; Garros, X; Pedini, JM; Lhostis, S; Dabertrand, K; Morin, C; Wiemer, C; Perego, M; Fanciulli, M/titolo:Understanding of the thermal stability of the hafnium oxide%2FTiN stack via 2 'high k' and 2 metal deposition techniques/doi:/rivista:Microelectronic engineering/anno:2007/pagina_da:1886/pagina_a:1889/intervallo_pagine:1886–1889/volume:84
Microelectronic Engineering
Microelectronic Engineering, Elsevier, 2007, pp.Issue: 9-10, (2007) 1886-1889
Microelectronic Engineering, 2007, pp.Issue: 9-10, (2007) 1886-1889مصطلحات موضوعية: Annealing (metallurgy), chemistry.chemical_element, Mineralogy, 02 engineering and technology, Chemical vapor deposition, 01 natural sciences, 0103 physical sciences, Figure of merit, Thermal stability, Electrical and Electronic Engineering, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, Leakage (electronics), High-κ dielectric, 010302 applied physics, Chemistry, business.industry, 021001 nanoscience & nanotechnology, Condensed Matter Physics, Atomic and Molecular Physics, and Optics, Surfaces, Coatings and Films, Electronic, Optical and Magnetic Materials, Physical vapor deposition, Optoelectronics, 0210 nano-technology, business, Tin
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