يعرض 1 - 1 نتائج من 1 نتيجة بحث عن '"J. W. Tomm, B."', وقت الاستعلام: 0.94s تنقيح النتائج
  1. 1
    دورية أكاديمية
    Properties of As[sup +]-implanted and annealed GaAs and InGaAs quantum wells: Structural and band-structure modifications.

    المؤلفون: J. W. Tomm, B., V. Strelchuk, B., A. Gerhardt, B., U. Zeimer, B., M. Zorn, B., H. Kissel, B., M. Weyers, B., J. Jiménez, B.

    المصدر: Journal of Applied Physics; 2/1/2004, Vol. 95 Issue 3, p1122-1126, 5p, 6 Graphs

    مصطلحات موضوعية: ION implantation, QUANTUM wells, ANNEALING of metals, GALLIUM arsenide, CRYSTALS, RAMAN spectroscopy, IONIZATION (Atomic physics)

    Find this article in full text from Scitation.
    أضف إلى المفضلة
أدوات البحث: أحصل على تغذية RSS – أرسل هذا البحث بالبريد الإلكتروني – حفظ البحث – جدول التنبيهات: لا شيء