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3دورية أكاديمية
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4
المؤلفون: Louis Hutin, J. Mazurier, D. Barge, L. Pasini, Olivier Weber, Frédéric Mazen, F. Piegas Luce, Claire Fenouillet-Beranger, M. Vinet, Antoine Cros, E. Ghegin, B. Mathieu, S. Chhun, J. Borrel, Frederic Boeuf, Quentin Rafhay, Anthony Payet, Michel Haond, Perrine Batude, M. Casse, Fuccio Cristiano, Benoit Sklenard, Zineb Saghi, Joris Lacord, D. Blachier, J.P. Barnes, Gerard Ghibaudo, Francois Andrieu, V. Mazzocchi, N. Rambal, J. Micout, Vincent Delaye, V. Lapras, Laurent Brunet, R. Daubriac, Pascal Besson
المساهمون: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC ), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Équipe Matériaux et Procédés pour la Nanoélectronique (LAAS-MPN), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT), Nano 2017, ANR-10-EQPX-0030,FDSOI11,Plateforme FDSOI pour le node 11nm(2010), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées
المصدر: Proceedings of the 2016 IEEE Symposium on VLSI Technology
2016 IEEE Symposium on VLSI Technology
2016 IEEE Symposium on VLSI Technology, Jun 2016, Honolulu, United States. ⟨10.1109/VLSIT.2016.7573407⟩مصطلحات موضوعية: 010302 applied physics, Materials science, business.industry, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, 020202 computer hardware & architecture, PMOS logic, CMOS, 0103 physical sciences, 0202 electrical engineering, electronic engineering, information engineering, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], Optoelectronics, business, NMOS logic
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::733572509907569cf7c31dbc0cecdb89
https://hal.laas.fr/hal-01730659 -
5
المؤلفون: Magali Gregoire, Emmanuel Nolot, H. Grampeix, M. Vinet, Fabienne Allain, J.P. Barnes, E. Ghegin, Claude Tabone, Louis Hutin, Philippe Rodriguez, Emmanuel Dubois, Fabrice Nemouchi, Yves Morand, J. Borrel
المساهمون: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), STMicroelectronics, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Microélectronique Silicium - IEMN (MICROELEC SI - IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Laboratoire commun STMicroelectronics-IEMN T4, Microélectronique Silicium - IEMN (MICROE SI - IEMN)
المصدر: IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW)
IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), Jun 2016, Honolulu, United States. pp.140-141, ⟨10.1109/SNW.2016.7578022⟩مصطلحات موضوعية: Materials science, business.industry, Oxide, Insulator (electricity), Dielectric, Atomic layer deposition, chemistry.chemical_compound, [SPI]Engineering Sciences [physics], Semiconductor, chemistry, Electrical resistivity and conductivity, Electronic engineering, Optoelectronics, business, Silicon oxide, Quantum tunnelling
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::319871fb63b4830704dd626a4c7295c8
https://hal.science/hal-03325002 -
6
المؤلفون: M. Py, E. Martinez, J.M. Hartmann, E. Saracco, V. Delaye, J.F. Damlencourt, J.-P. Colonna, J.M. Fabbri, J.P. Barnes
المصدر: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 273:131-134
مصطلحات موضوعية: Profiling (computer programming), Nuclear and High Energy Physics, Materials science, business.industry, Doping, Oxide, Analytical chemistry, Silicon-germanium, Characterization (materials science), chemistry.chemical_compound, chemistry, Ionization, Optoelectronics, Thin film, business, Instrumentation
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7
المؤلفون: S. Maitrejean, V. Carreau, J.P. Barnes
المصدر: Applied Surface Science. 255:1564-1568
مصطلحات موضوعية: Materials science, business.industry, Copper interconnect, Analytical chemistry, General Physics and Astronomy, Surfaces and Interfaces, General Chemistry, Condensed Matter Physics, Electrochemistry, Surfaces, Coatings and Films, Ion, Electrical resistivity and conductivity, Sputtering, Microelectronics, Grain boundary, business, Layer (electronics)
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8
المؤلفون: M. Aimadeddine, Vincent Arnal, N. Claret, J.P. Barnes, C.. Guedj
المصدر: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability. 7:64-68
مصطلحات موضوعية: Materials science, business.industry, Electrical engineering, Cu element, Dielectric, Electrical and Electronic Engineering, Safety, Risk, Reliability and Quality, business, Engineering physics, Electronic, Optical and Magnetic Materials, Leakage (electronics)
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f3106cb102072d32f5af97c9936fbc6b
https://doi.org/10.1109/tdmr.2007.902172
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9
المؤلفون: J.P. Barnes, V. Lapras, P. Acosta Alba, N. Rambal, L. Hortemel, F. Piegas Luce, P. Rivallin, Dominique Lafond, Perrine Batude, Pascal Besson, M.-P. Samson, Sebastien Kerdiles, M. Vinet, B. Mathieu, A. Royer, H. Dansas, R. Kachtouli, M. Casse, Shay Reboh, V. Lu, O. Rozeau, L. Pasini, C.Fenouillet Beranger, Bernard Previtali, Laurent Brunet, F. Aussenac, Benoit Sklenard, F. Deprat
المصدر: Extended Abstracts of the 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials.
مصطلحات موضوعية: Very-large-scale integration, Materials science, Annealing (metallurgy), Engineering physics
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::092b52357e8e8fd31b34f1def6a20d04
https://doi.org/10.7567/ssdm.2015.n-1-1 -
10
المؤلفون: S. Chhun, R. Kachtouli, B. Mathieu, F. Aussenac, X. Garros, M. Casse, M.-P. Samson, A. Laurent, J.P. Barnes, L. Pasini, C. Reita, E. Richard, Claire Fenouillet-Beranger, M. Vinet, E. Petitprez, N. Guillot, Pascal Besson, Bernard Previtali, Fabrice Nemouchi, Perrine Batude, Pierre Perreau, V. Benevent, I. Toque-Tresonne, D. Barge, Laurent Brunet, Karim Huet, Sebastien Kerdiles, G. Druais, F. Deprat, H. Dansas, D. Lafond, V. Lu, N. Rambal
المصدر: 2014 IEEE International Electron Devices Meeting.
مصطلحات موضوعية: Very-large-scale integration, Materials science, business.industry, Doping, Transistor, Laser, law.invention, chemistry.chemical_compound, chemistry, law, MOSFET, Silicide, Electronic engineering, Optoelectronics, Thermal stability, Metal gate, business
URL الوصول: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4900ebd2c14b7ee98c73dbf874dd9c82
https://doi.org/10.1109/iedm.2014.7047121
